半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：经由第一接合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。这里，第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及在保护膜的第一开口部分的内侧从保护膜暴露的第一焊盘电极。此外，第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，该导电材料布置在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。一半导体芯片的第一焊盘电极上。一半导体芯片的第一焊盘电极上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件

技术介绍

[0001]本专利技术涉及半导体器件，并且例如，本专利技术可以适当地应用于其中包括两个堆叠的半导体芯片的半导体器件。
[0002]这里，公开了以下技术：
[0003][专利文献1]日本未审查专利申请公开号2014
‑
93431。
[0004]一种半导体封装件可以通过将半导体芯片安装在管芯焊盘上、经由导线将半导体芯片的焊盘与引线电连接、并且用树脂密封它们来制造。
[0005]专利文献1公开了一种半导体封装件，该半导体封装件包括安装在管芯焊盘上的半导体芯片和安装在该半导体芯片上的另一半导体芯片。

技术实现思路

[0006]在具有堆叠的两个半导体芯片的半导体器件中，期望提高性能。
[0007]从本说明书的描述和附图中，其他目的和新颖特征将变得显而易见。
[0008]根据一个实施例的一种半导体器件包括：经由第一接合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。这里，第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及在保护膜的第一开口部分的内侧从保护膜暴露的第一焊盘电极。此外，第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，该导电材料布置在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。
[0009]根据一个实施例，可以提高半导体器件的性能。
附图说明
[0010]图1是根据实施例1的半导体器件的上表面视图；
[0011]图2是根据实施例1的半导体器件的下表面视图；
[0012]图3是根据实施例1的半导体器件的透视平面图；
[0013]图4是根据实施例1的半导体器件的截面图；
[0014]图5是根据实施例1的半导体器件的截面图；
[0015]图6是根据实施例1的半导体器件的截面图；
[0016]图7是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的上表面视图；
[0017]图8是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的下表面视图；
[0018]图9是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的上表面视图；
[0019]图10是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0020]图11是示出根据实施例1的半导体器件中的两个半导体芯片的平面图；
[0021]图12是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0022]图13是在根据实施例1的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0023]图14是根据实施例1的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0024]图15是根据实施例1的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0025]图16是在根据所检查的示例的半导体器件中使用的半导体芯片的上表面视图；
[0026]图17是示出根据所检查的示例的半导体器件中的两个半导体芯片的平面图；
[0027]图18是在根据所检查的示例的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0028]图19是根据所检查的示例的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0029]图20是在根据实施例2的半导体器件中使用的半导体芯片的上表面视图；
[0030]图21是示出根据实施例2的半导体器件中的两个半导体芯片的平面图；
[0031]图22是在根据实施例2的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0032]图23是在根据实施例2的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0033]图24是根据实施例2的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0034]图25是根据实施例2的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0035]图26是根据实施例3的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0036]图27是根据实施例3的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0037]图28是示出根据实施例4的半导体器件中的两个半导体芯片的平面图；
[0038]图29是根据实施例4的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0039]图30是根据实施例4的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；
[0040]图31是在根据实施例5的半导体器件中使用的半导体芯片的截面图；
[0041]图32是根据实施例5的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图；以及
[0042]图33是根据实施例5的半导体器件中的两个半导体芯片的截面图。
具体实施方式
[0043]在以下实施例中，当需要为了方便起见时，将通过划分为多个部分或实施例来进行描述，但除非特别说明，否则它们彼此不独立，并且一个与另一个的部分或全部的修改示例、细节、补充描述等相关。在以下实施例中，元素的数目等(包括元素的数目、数值、数量、范围等)不限于特定数目，而是可以不小于或等于特定数目，除非该数目被具体指示并且原则上明确限于特定数目。此外，在下面的实施例中，不必说，组成元素(包括元素步骤等)不一定是必需的，除非它们被具体指定或者它们被认为在原则上是明显必需的。类似地，在下面的实施例中，当参考组件等的形状、位置关系等时，假定形状等基本上接近或类似于这些形状等，除了它们被具体指定的情况或它们被认为在原则上是明显的情况等。这同样适用于上述数值和范围。
[0044]下面将基于附图详细说明。在用于解释实施例的所有附图中，具有相同功能的构件由相同附图标记表示，并且省略其重复描述。在以下实施例中，除非特别必要，否则相同或类似部件的描述原则上不重复。
[0045]在实施例中使用的附图中，即使在截面图的情况下，也可以省略阴影，以便使图更易于查看。此外，即使是平面视图，也可以使用阴影，以使图更易于查看。
[0046]在本申请中，场效应晶体管被称为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，但是不仅包括氧化物膜用作栅极绝缘膜的情况，还包括氧化物膜以外的绝缘膜用作栅极绝缘膜的情况。
[0047](实施例1)
[0048]<半导体器件的结构>
[0049]参考图1至图9描述本实施例的半导体器件的结构。图1是根据本实施例的半导体器件PKG的上表面视图，图2是根据本实施例的半导体器件PKG的下表面视图。图3是根据本实施例的半导体器件PKG的透视平面图，并且示出了当通过密封部分MR从半导体器件PKG的上表面观察时半导体器件PKG的透视平面视图。图4至图6是本实施例的半导体器件PKG的截面图。图1至图3中的每个图中的A1
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A1线的位置处的截面图对应于图4，图1至图3中的每个图中的A2
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A2线的位置处的截面图对应于图5，图1至图3中的每个图中的A3
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A3线的位置处的截面图对应于图6。图7是在根据本实施例的半导体器件PKG中使用的半导体芯片CP1的上表面视图。图8是在根据本实施例的半导体器件PKG中使用的半导体芯片CP1的下表面视图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：芯片安装部分；第一半导体芯片，经由第一接合材料安装在所述芯片安装部分上；以及第二半导体芯片，安装在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及第一焊盘电极，在所述保护膜的第一开口部分的内部从所述保护膜暴露，并且其中所述第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，所述导电材料布置在所述第一半导体芯片的所述第一焊盘电极上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片具有：第一半导体衬底；形成在所述第一半导体衬底中的MOSFET；以及与所述MOSFET的源极电连接的源极电极，并且其中所述第一焊盘电极由在所述保护膜的所述第一开口部分处的从所述保护膜暴露的所述源极电极形成。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片具有形成在所述第一半导体芯片的背表面上并且与所述MOSFET的漏极电连接的漏极电极，其中所述第一半导体芯片经由所述第一接合材料安装在所述芯片安装部分上，使得所述第一半导体芯片的所述漏极电极面向所述芯片安装部分，其中所述第一接合材料具有导电性，并且其中所述第一半导体芯片的所述漏极电极经由所述第一接合材料与所述芯片安装部分电连接。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述MOSFET包括多个单位晶体管单元，所述多个单位晶体管单元形成在所述第一半导体衬底中并且彼此并联耦合。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电材料包括镀层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电材料包括导电膏材料。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电材料包括导电膏材料和布置在所述导电膏材料上的金属板。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电材料包括焊料材料。9.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：第一引线；第二引线；第一导线，将所述源极电极与所述第一引线电连接；以及第二导线，将所述源极电极与所述第二引线电连接。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一导线和所述第二导线中的每个导线连接到所述第一焊盘电极上的所述导电材料。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第二半导体芯片布置
在所述第一导线与所述导电材料之间的连接点、与所述第二导线与所述导电材料之间的连接点之间。12.根据权利要求9所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：中柴康隆，波多俊幸，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：