功率半导体模块和制造方法技术

技术编号:39426244 阅读:38 留言:0更新日期:2023-11-19 16:12
在一个实施例中,一种功率半导体模块(1)包括:主基板(2);安装在主基板(2)上的至少一个第一半导体芯片(3);以及安装在主基板(2)上的至少一个辅助基板(4),所述至少一个辅助基板(4)包括远离主基板(2)的顶面(40),其中,所述至少一个辅助基板(4)包括基于有机材料并与主基板(2)直接接触的绝缘层(41),并且所述至少一个辅助基板包括形成顶面(40)的至少部分的顶部金属层(42)。的顶部金属层(42)。的顶部金属层(42)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块和制造方法


[0001]提供了一种功率半导体模块。进一步地,还提供了一种用于制造此类功率半导体模块的方法。

技术介绍

[0002]文献JP 2209787 A2提及了一种用于制备印刷电路板的方法,其中印刷电路板借助于聚酰亚胺树脂层安装到铝块。
[0003]文献CN 203367241 U提及了一种模制功率封装的结构,其中印刷电路板通过导线或通过含银粘合剂膏联结到引线框架。
[0004]文献JP 6342986 A2公开了一种多层基板,其具有通过通孔或贯通孔互连的两个电路层,这些电路层借助于绝缘涂层和粘合剂安装到金属底板。
[0005]文献US2018/0174946 A1、WO 2012/144070 A1、EP 0 427 143 A2、EP 3 113 223 A1、US2021/0020588A1、US 9 443 792 B1和US2013/00175575A1提及了半导体器件。
[0006]要解决的问题是提供一种可以高效地制造的功率半导体模块。

技术实现思路
r/>[0007]该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体模块(1),其包括:

主基板(2),

安装在所述主基板(2)上的至少一个第一半导体芯片(3),以及

安装在所述主基板(2)上的至少一个辅助基板(4),所述至少一个辅助基板(4)包括远离所述主基板(2)的顶面(40),其中,

所述至少一个辅助基板(4)包括绝缘层(41),所述绝缘层(41)基于有机材料并与所述主基板(2)直接接触,并且所述至少一个辅助基板(4)包括形成所述顶面(40)的至少部分的顶部金属层(42),

所述绝缘层(41)包括填充有无机颗粒(82)的树脂层(81),并且

所述绝缘层(41)进一步包括直接在所述树脂层(81)与所述主基板(2)之间的底部子层(83),所述底部子层(83)是环氧树脂并且具有子层厚度,所述子层厚度是所述绝缘层(41)的总厚度的最多20%。2.根据前一权利要求所述的功率半导体模块(1),其中,所述至少一个辅助基板(4)借助于所述绝缘层(41)附接到所述主基板(2),并且所述顶部金属层(42)与所述绝缘层(41)直接接触。3.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(1),其中,所述绝缘层(41)包括填充有无机颗粒(82)的树脂层(81)或由所述树脂层组成。4.根据前一权利要求所述的功率半导体模块(1),其中,在所述树脂层(81)与所述顶部金属层(42)之间存在顶部子层(84),所述顶部子层(84)和所述底部子层(83)是相同的构造。5.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(1),其中,所述至少一个辅助基板(4)是绝缘金属基板,并且所述主基板(2)是直接键合铜基板。6.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(1),其包括多个所述第一半导体芯片(3),所有所述第一半导体芯片都安装在所述主基板(2)上,其中,所述至少一个辅助基板(4)为所述第一半导体芯片(3)提供公共接触平台,并且电连接器件(24)从所述第一半导体芯片(3)中的每一个延伸到所述至少一个辅助基板(4)上。7.根据前一权利要求所述的功率半导体模块(1),其中,所述至少一个辅助基板(4)包括多个电阻器(6),所述多个电阻器(6)中的每一个被指派给多达两个所述第一半导体芯片(3),其中,所述多个电阻器(6)是安装在所述至少一个辅助基板(4)的所述顶面(40)上的电器件,或者所述多个电阻器(6)是形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:D
申请(专利权)人:日立能源瑞士股份公司
类型:发明
国别省市:

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