带有具有用于改进的功率输送的竖直功率平面的玻璃核心的封装基板制造技术

本文中公开的实施例包括封装基板以及形成这样的封装基板的方法。在实施例中，封装基板包括核心以及位于核心上的堆积层。在实施例中，第一级互连(FLI)焊盘位于最顶部的堆积层上，并且FLI焊盘具有间距。在实施例中，多个竖直取向的平面嵌入核心中，并且竖直取向的平面以间距间隔开。以间距间隔开。以间距间隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有具有用于改进的功率输送的竖直功率平面的玻璃核心的封装基板


[0001]本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体地，涉及带有具有用于改进的功率输送的竖直功率平面的玻璃核心的封装基板。

技术介绍

[0002]功率输送对于任何封装基板都是至关重要功能。减少封装中的功率损耗对于提高功率输送性能至关重要。一种这样的损耗是欧姆损耗，其是由功率输送网络的实际欧姆电阻造成的。几乎所有的基板封装层都通过并入功率平面或功率迹线而有助于功率输送网络。在有核心的封装(例如，玻璃纤维增强核心)的情况下，功率输送必须通过镀覆通孔(plated through holes，PTH)布线。PTH具有较大的间距。这限制了功率输送的精细程度，并且要求额外的布线。额外布线增加了功率输送网络的电阻，并且因此是不合需要的。
附图说明
[0003]图1是具有用于功率输送的镀覆通孔(PTH)的封装基板的横截面图示。
[0004]图2A是根据实施例的具有正在由激光曝光的顶表面和底表面的玻璃核心的横截面图示。
[0005]图2B是根据实施例的具有其形态被激光改本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装基板，包括：核心；堆积层，所述堆积层位于所述核心上；第一级互连(FLI)焊盘，所述第一级互连(FLI)焊盘位于最顶部的堆积层上，其中，所述FLI焊盘具有间距；以及多个竖直取向的平面，所述多个竖直取向的平面嵌入所述核心中，其中，所述竖直取向的平面以所述间距间隔开。2.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述多个竖直取向的平面中的各个竖直取向的平面电耦合到位于所述多个竖直取向的平面中的所述各个竖直取向的平面正上方的FLI焊盘。3.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述多个竖直取向的平面中的各个竖直取向的平面具有倾斜的侧壁。4.根据权利要求3所述的封装基板，其中，所述多个竖直取向的平面中的各个竖直取向的平面具有沙漏形状的横截面。5.根据权利要求1或2所述的封装基板，还包括：穿过所述核心的过孔。6.根据权利要求5所述的封装基板，其中，所述过孔被配置为用于I/O信号、接地或功率。7.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述多个竖直取向的平面被配置为用于功率平面或接地平面。8.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述核心是玻璃核心。9.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述间距是大约150μm或更小。10.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述多个竖直取向的平面贯穿所述核心的整个厚度。11.根据权利要求1或2所述的封装基板，还包括：第二多个竖直取向的平面，其中，所述第二多个竖直取向的平面具有不同于第一间距的第二间距。12.一种封装基板，包括：核心，所述核心具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；以及导电平面，所述导电平面嵌入所述核心中，其中，所述导电平面包括与所述第一表面基本上正交的主表面。13.根据权利要求12所述的封装基板，其中，所述导电平面的横截面是...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：