一种半导体封装体，包括中介层、接合到中介层的一或多个封装元件、位于中介层上的封装胶以及位于中介层上的多个支撑结构。在俯视图中，一或多个支撑结构设置在中介层的每个角落上。多个支撑结构包括第一金属，并且嵌入在封装胶中。装胶中。装胶中。

一种半导体装置包括第一鳍式场效晶体管、第二鳍式场效晶体管和多个侧壁间隔件，第一鳍式场效晶体管包括第一鳍片结构及第一栅极结构，第二鳍式场效晶体管包括第二鳍片结构及第二栅极结构，其中第一栅极结构及第二栅极结构设置在侧壁间隔件之间并通过分隔结...

本发明的实施例提供了一种存储器件，包括半导体衬底。该存储器件包括在半导体衬底上方的沟道层堆叠件，每个沟道层包括氧化物材料。该存储器件包括与沟道层堆叠件交错的字线结构。该存储器件包括在沟道层堆叠件两侧的源极部件和漏极部件。本发明的实施例提...

方法包括：提供包括背侧互连结构的第一半导体器件，第一半导体器件通过半导体工艺来形成；以及通过检查工艺生成物理失效分析模型。检查工艺包括：将电子束导向第一半导体器件的前侧；以及通过电路径将电信号施加至第一半导体器件的电接触件，电路径穿过附...

本公开的多种实施例涉及一种集成电路(IC)，其包括在半导体衬底之上的多个导电接触件。多个第一导电线设置在多个导电接触件上。多个导电通孔在第一导电线之上。蚀刻停止结构设置在第一导电线上。多个导电通孔延伸穿过蚀刻停止结构。蚀刻停止结构包括第...

本文描述的实施例涉及用于图案化掺杂层(诸如含镧层)的方法，用于掺杂FinFET器件的栅极堆叠件中的高k介电层以用于阈值电压调节。可以在掺杂层和用于图案化掺杂层的硬掩模层之间形成阻挡层。在实施例中，阻挡层可以包括或者可以是氧化铝(AlO

本公开涉及铁电存储器件及其形成方法。一种器件包括：存储层，在衬底之上；第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，在存储层上，其中第一源极/漏极结构和第二源漏结构各自包括第一源极/漏极层，在存储层上；第二源极/漏极层，在第一源极/漏极层上，...

本公开总体涉及三维存储器器件和方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一栅极结构，位于衬底之上，第一栅极结构包括位于第一栅极电介质的第一侧之上的第一栅极电极；第一电极和第二电极，设置在第一栅极电介质的与第一侧相反的第二侧之上；第二栅极结构...

一种电压供应选择电路，包括控制电路，控制电路被配置为接收在第一电压域内转换的选择信号；以及基于选择信号生成在不同于第一电压域的第二电压域内转换的第一控制信号。电压供应选择电路还包括开关电路，开关电路可操作地耦接到控制电路并且包括第一头部...

本揭示文件提供一种消除相位杂讯的影响的校正系统与包含该校正系统的模拟至数字转换装置

一种探针卡装置及其电路保护组件，探针卡装置包含一配线载板

本申请的实施例涉及半导体器件、包括集成无源器件的系统及制造方法。实施例半导体器件包括中介层，电连接到中介层的半导体管芯，电连接到中介层的集成无源器件管芯，包括两个或更多个密封环的集成无源器件器件管芯，以及第一对准标记，第一对准标记形成在...

本公开涉及栅极隔离区域和鳍隔离区域及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域上形成栅极堆叠；蚀刻栅极堆叠以形成第一沟槽，该第一沟槽将栅极堆叠分离为第一栅极堆叠部分和第二栅极堆叠部分；以及形成填充第一沟槽的栅极隔离区域。栅极隔离区域包括：...

本文公开了一种半导体装置，本文描述的一些实施方式提供了纳米结构晶体管。纳米结构晶体管包括在多个通道层的端部处的凹形区域。纳米结构晶体管还包括外延材料的凸形部分，包括作为纳米结构晶体管的源极/漏极区域的一部分，且其延伸到凹形区域中。在沉积...

提供一种半导体清洁设备与其喷嘴。该半导体清洁设备包含喷嘴。该喷嘴与接收载气的第一入口及接收一或多种流体的第二入口连接。该喷嘴包含与该第一入口连接的气体通道；及与该第二入口连接的流体通道。该气体通道包含气体通道分支，且该流体通道包含流体通...

本揭露提供相变材料(PCM)开关，PCM开关提供一相变材料层内的改善的热约束。PCM开关可包括加热器衬垫与PCM开关的相变材料层之间的介电覆盖层，介电覆盖层经侧向约束，使得介电覆盖层的此类相对侧面、加热器衬垫可形成横向于横越该PCM开关...

本揭露是有关于一种电荷粒子过滤元件及移除系统，特别是有关于过滤器的至少一实施例，其中过滤器是设置以利用第一导电筛网(如：第一电极)及第二导电筛网(如：第二电极)移除污染物，其中第二导电筛网延伸围绕第一导电筛网。举例而言，第一导电筛网可接...

本申请提供了半导体器件和光掩模的制造方法。在一种制造光掩模的方法中，获取包括多个图案的原始图案布局，每个图案由不透明区域限定，确定图像对数斜率(ILS)的下界，调整多个图案的尺寸以使得多个图案的曝光剂量减少，同时多个图案的ILS值不会降...

本发明的各个实施例针对图像传感器及其形成方法。图像传感器包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一栅极位于第一区域上面。第二栅极位于第二区域上面。深沟槽隔离(DTI)结构位于衬底中并且横向地位于第一区域和第二区域之间。第一浮动扩散节点位于第...

本文公开的内容涉及一种存储器器件及操作存储器器件的方法。在一个方面，存储器器件包括耦接到第一线和第二线的驱动电路。在一个方面，驱动电路被配置为根据第一控制信号具有第一状态，将数据信号施加到第一线或第二线中的任一个，以在存储器单元处写入数...