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台湾积体电路制造股份有限公司专利技术
台湾积体电路制造股份有限公司共有17058项专利
半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
公开了一种半导体装置的制造方法,包括:提供至少两个结构,每个结构上具有金属层;在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层;通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻...
导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置制造方法及图纸
一种导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置,导电探针包含一柱状本体。柱状本体定义有一长度方向,柱状本体沿此长度方向具有彼此相对的第一接触面与第二接触面,第一接触面呈十字状或X字型,用以接触一待测物的一导接凸柱。如此,透过以上架构...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置,包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片...
半导体装置制造方法及图纸
本新型公开了一种半导体装置,该半导体装置包含了由多个单元排列而成的阵列。每个单元皆包含:至少一个沿第一方向排列的主动区;至少五个间隔的导电区沿第二方向布置,设置在主动区上方,其中第一至第五导电区中包含一个或多个导体,而该一或多个导体具有...
记忆体装置制造方法及图纸
一种记忆体装置,包括具有设置于两个电极之间的铁电薄膜的第一电容器,及具有设置于两个电极之间的另一介电薄膜的第二电容器。在第一电容器上施加第一电压,使得铁电薄膜极化,从而改变经由装置的有效电阻。在第一电容器上施加第二电压,使得泄漏电流通过...
一次性可编程记忆体及半导体装置制造方法及图纸
一种一次性可编程(one
半导体器件及制造存储器器件方法技术
本申请的实施例公开了一种半导体器件及制造存储器器件的方法。半导体器件包括字线(WL)结构。该半导体器件包括位于WL结构上方的铁电层。该半导体器件包括位于铁电层上方的沟道层。该半导体器件包括位于沟道层上方的源极线(SL)结构。该半导体器件...
集成电路器件及其制造方法技术
一种集成电路(IC)器件包括具有电源控制电路的衬底、前侧金属层和背侧金属层以及第一和第二馈送贯通孔(FTV)。前侧金属层具有第一和第二前侧电源轨。背侧金属层具有第一和第二背侧电源轨。第一FTV延伸穿过衬底,并将第一前侧电源轨耦接到第一背...
半导体器件及其形成方法技术
一种器件包括:接地面,电连接至至少一个导电柱的近端;和天线焊盘,基本上平行于接地面,其中,天线焊盘通过具有第一介电常数的介电衬垫与至少一个导电柱的远端分隔开,其中,接地面、至少一个导电柱和介电衬垫围绕天线腔,天线腔填充有具有第二介电常数...
选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列制造技术
一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列,选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部...
半导体器件和电平移位电路制造技术
本申请的实施例提供了一种半导体器件和电平移位电路,半导体器件包括形成在衬底中的多个晶体管、设置在衬底前侧上的前侧电源轨和设置在衬底背侧上的背侧电源轨。晶体管形成至少在第一电源电压下工作的第一单元和在不同于第一电源电压的第二电源电压下工作...
相变材料开关装置及其制造方法制造方法及图纸
一种相变材料开关装置及其制造方法,相变材料开关装置包括:半导体基板上方的底部介电层;设置于底部介电层上的第一加热器元件,第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件;设置于第一加热器元件上的第二加热器元件,第二加热器...
光学器件及其操作方法技术
一种光学器件,包括位于第一平面中的第一环形谐振器、位于第一平面中且被配置为向第一环形谐振器提供光子的第一光波导、位于第二平面中的第二环形谐振器以及位于第二平面中的第二光波导,第二平面在第一平面下方。第二光波导被配置为接收从第二环形谐振器...
电路、存内计算电路及操作方法技术
本发明的实施例提供了一种电路,包括:乘法器电路,接收多个输入和权重数据元素中每个数据元素的有符号尾数,并且通过对部分或全部输入数据元素的有符号尾数和部分或全部权重数据元素的有符号尾数进行乘法和重新格式化操作,生成二补码乘积;求和电路,接...
半导体器件及其形成方法技术
一种形成半导体器件的方法包括在第一器件管芯的第一衬底上沉积第一介电层,蚀刻第一介电层以形成沟槽,在沟槽中和第一介电层的顶表面上沉积金属材料,以及执行化学机械抛光(CMP)工艺,以从第一介电层的顶表面去除金属材料的部分来形成第一金属焊盘。...
EUV光刻系统及其方法和实施光刻的方法技术方案
本发明的实施例提供了用于光刻系统的方法,光刻系统包括向热管理控制器提供反馈的一个或多个热传感器。热管理控制器向诸如热交换器和气体喷口的热调节组件提供指令,以提供光刻系统中使用的中间掩模的冷却。本申请的实施例还涉及EUV光刻系统及其方法和...
湿蚀刻设备制造技术
一种湿蚀刻设备,包含一晶圆座、喷洒头、液体蚀刻剂容器、第一气体喷射器以及第一气体抽取器。喷洒头具有多个分配孔于晶圆座上方。液体蚀刻剂容器流体连通喷洒头的所述多个分配孔。第一气体喷射器设置于该晶圆座的一第一侧。第一气体抽取器设置于该晶圆座...
光学器件及其操作方法技术
本申请的实施例提供了一种光学器件及其操作方法。光学器件包括环形谐振器、第一光波导和第二光波导,第一光波导的端部合并到环形谐振器的圆周中,第二光学波导与环形谐振器的圆周不接触。第一光波导被配置为接收光子。第二光波导被配置为输出从环形谐振器...
用于化学机械抛光的抛光垫及其形成方法技术
公开了用于化学机械抛光的抛光垫及其形成方法。在一个实施例中,一种抛光垫包括:抛光垫衬底;位于抛光垫衬底上的第一突起,第一突起包括中央区域和围绕中央区域的外周区域,并且中央区域的第一硬度大于外周区域的第二硬度;以及与第一突起的第一侧相邻的...
半导体结构及其形成方法技术
方法包括:提供具有栅极结构、源极/漏极电极、第一蚀刻停止层(ESL)、第一层间介电(ILD)层、第二ESL和第二ILD层的结构。方法包括:形成第一蚀刻掩模;通过第一蚀刻掩模对第二ILD层、第二ESL和第一ILD层实施第一蚀刻以形成第一沟...
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