本实用新型的实施例提供一种三维集成电路叠层包括：第一管芯包括第一衬底和第一内连线结构。第二管芯接合到第一管芯并包括第二衬底和第二内连线结构，使得第一内连线结构和第二内连线结构布置在第一衬底和第二衬底之间。重布线叠层布置在第一管芯的与第一...

本实用新型的实施例提供一种三维集成电路叠层包括：第一管芯包括第一衬底和第一内连线结构。第二管芯接合到第一管芯并包括第二衬底和第二内连线结构，使得第一内连线结构和第二内连线结构布置在第一衬底和第二衬底之间。重布线叠层布置在第一管芯的与第一...

一种集成电路包括：金属导线阵列，其在金属层中，该金属层覆盖由基板支撑的绝缘层；第一金属段行列，其在该金属层中在金属导线阵列中的第一金属导线与第二金属导线之间有多个金属段；以及电路，其具有第一输入端及第二输入端。第一输入端连接至第一金属导...

一种集成电路包括：金属导线阵列，其在金属层中，该金属层覆盖由基板支撑的绝缘层；第一金属段行列，其在该金属层中在金属导线阵列中的第一金属导线与第二金属导线之间有多个金属段；以及电路，其具有第一输入端及第二输入端。第一输入端连接至第一金属导...

集成电路封装的形成方法包括：贴合第一载板至封装构件，且封装构件包括：中介层；第一半导体裸片，贴合至中介层的第一侧；第二半导体裸片，贴合至中介层的第一侧；密封剂，密封第一半导体裸片与第二半导体裸片；以及多个导电连接物，贴合至中介层的第二侧...

多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。此外，多个非主动晶粒可以以相邻方式定位于两个或更多个主动...

本公开涉及包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法。公开了形成过孔的方法和包括所述过孔的半导体器件，所述过孔用于将源极/漏极区耦合到半导体器件中的背面互连结构。在一个实施例中，半导体器件包括：导电特征，所述导电特征与栅极结构相邻；电介质...

一种光罩护膜检测方法及其系统，光罩护膜检测方法包含以一低同调光干涉系统，分别使用一第一偏振光以及一第二偏振光，量测一光罩护膜的多个区域，以分别获得每一该些区域的一第一偏振态色散信息以及一第二偏振态色散信息，其中该第一偏振光的偏振态不同于...

揭示一种半导体装置。半导体装置包括半导体基板及位于半导体基板上的记忆单元，其中记忆单元包括底部触点、位于底部触点上的记忆层、位于记忆层上的顶部触点、横向围绕顶部触点的第一电隔离结构，以及横向围绕记忆层及底部触点的第二电隔离结构。部触点的...

本公开的各种实施例提供一种具有凹陷阻挡结构的影像传感器，影像传感器包括配置在衬底内的多个光电探测器，且多个光电探测器包括第一有源光电探测器与黑阶校正(BLC)光电探测器。金属网格结构在衬底的第一侧上，沿着第一有源光电探测器的周边，环绕第...

本实用新型提供一种存储器以及集成电路装置，存储器包括：一组字线；一组位线；源极线，具有第一源极线接触件及第二源极线接触件；一组晶体管，串联耦合于所述源极线的所述第一源极线接触件与所述第二源极线接触件之间；以及一组资料存储元件。所述一组晶...

揭示一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板，及在该半导体基板上的一加热器元件，该加热器元件用以回应于流经该加热器元件的一电流产生热。该半导体元件亦包括具有一可程序化导电率的一导体材料，及在该加热器元件与该导体材料之间的一绝缘体层，...

半导体装置包括基板、多个源极/漏极区域、多个通道层及栅极结构。多个源极/漏极区域在基板之上。多个通道层沿着第一方向上在多个源极/漏极区域之间延伸且沿着垂直于基板的顶表面的第二方向上排列。在沿着垂直于第一方向的第三方向截取的一横截面中视角...

本发明提供一种通过结构以及其形成方法获得制造灵活性和效率，其中可以形成RDL接触特征并与硅通孔(TSV)对齐，而不管用于形成TSV的制造过程和形成接触特征的制造过程之间的相应关键尺寸(CD)存在任何潜在不匹配。提供了用于底层TSV的自对...

公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍基底、设置在鳍基底的第一部分上的纳米结构沟道区的堆叠件、围绕纳米结构沟道区的栅极结构、设置在鳍基底的第二部分上的源极/漏极(S/D)区、设置在S/D区和...

本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合...

本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法，包括：在半导体衬底之上形成多个半导体结构，在多个半导体结构的顶表面和侧壁上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，以及蚀刻虚设栅极堆叠的第一部分以在虚设栅极堆叠中形成贯穿栅极沟...

提供了半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，一种示例性方法包括：在衬底上方形成与半导体鳍接合的伪栅极堆叠件，在衬底上方共形地沉积第一介电层，在第一介电层上方共形地沉积第二介电层，回蚀刻第一介电层和第二介电层，以形成沿着伪栅极堆叠件的侧...

本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行...

本申请的实施例公开了一种半导体封装件及其制造方法。可以对应于高性能计算封装的半导体封装件包括中介层、衬底以及中介层和衬底之间的一种集成电路器件。可以对应于集成无源器件的集成电路器件在中介层的空腔内附接到中介层。将集成电路器件附接到中介层...