半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行预清洗操作以从晶体管的源极/漏极区的顶表面去除原生氧化物。在预清洗操作中，被消耗的是保护层而不是盖层的材料。如此一来，保护层的使用降低了从盖层去除材料的可能性及/或减少了在预清洗操作期间材料从盖层去除的量。操作期间材料从盖层去除的量。操作期间材料从盖层去除的量。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本公开实施例是关于半导体技术，特别是关于半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着晶体管的制程节点缩小，并且随着晶体管密度增加，晶体管的栅极之间及/或晶体管的栅极及源极/漏极区之间的可用空间减小。自对准接触(self
‑
aligned contact,SAC)制程是在不使用额外的以光阻为主的遮罩(photoresist
‑
based masks)的情况下沉积晶体管的源极/漏极区的接触件的制程，而使得晶体管中接触件的尺寸及节距可以缩小。取而代之地，盖层形成在晶体管的栅极上方以在接触件形成期间保护栅极。盖层提供相邻的栅极之间及/或相邻的栅极与源极/漏极区之间的电性隔离。盖层还作为牺牲硬遮罩，用于接触件材料的选择性沉积及平坦化。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括：在介电盖层上形成保护层，介电盖层位于半导体装置的金属栅极结构上方；及执行预清洗(pre
‑
clean)操作以从邻近于金属栅极结构的源极/漏极区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一介电盖层上形成一保护层，该介电盖层位于一半导体装置的一金属栅极结构上方；及执行一预清洗操作以从邻近于该金属栅极结构的一源极/漏极区的一顶表面去除原生氧化物，其中在该预清洗操作期间该保护层防止材料从该介电盖层被去除，以及其中在该预清洗操作期间该保护层至少部分地从该介电盖层被去除。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该保护层包括一含硅材料。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该保护层的步骤包括：在与该金属栅极结构相关的侧壁间隔物上形成该保护层，其中在该预清洗操作期间该保护层自所述侧壁间隔物被去除。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该保护层的步骤包括：在该介电盖层上形成该保护层至一厚度，使得该保护层在该预清洗操作完成前不会从该介电盖层被完全去除。5.一种半导体装置的制造方法，包括：在位于一半导体装置的一金属栅极结构上方的一介电盖层上、以及在邻近该金属栅极结构的一外延区域的一顶表面上形成一保护层；执行一预清洗操作以从该外延区域的该顶表面去除原生氧化物，其中在该预清洗操作期间该保护层从该外延区域的该顶表面被去除以暴露该外延区域的该顶表面，从而使原生氧化物能够在该预清洗操作期间从该外延区域的该顶表面被去除，以及其中在该预清洗操作期间该保护层防止材料从该介电盖层被去除；及在该预清洗操作后，在该外延区域的该顶表面上形成一金属硅化物层。6.在如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成该保护层的步骤包括：提供一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵翊翔，周志昇，杨舒庭，翁廷玮，徐鹏皓，黄俊贤，陈泓旭，许宏彰，张志维，蔡明兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：