晶体管结构及其制备方法技术

本公开实施例提供一种晶体管结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成第一功函数调整结构，第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在第二功函数调整结构上形成栅极层。本公开的制备方法能够使晶体管结构有效阻挡金属元素的扩散，提高晶体管结构的电学性能，提高良率。提高良率。提高良率。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体制备
，尤其涉及一种晶体管结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件尺寸的微缩，晶体管的沟道尺寸不断减小，为了抑制短沟道效应，在晶体管的栅极结构中引入了高K介质层，但是高K介质层会使得晶体管的阈值电压升高，因而在栅极结构中再引入金属化合物，以降低阈值电压。然而，金属化合物中的金属元素会发生扩散，若扩散到栅极或者晶体管结构的其他部位，会影响晶体管结构的电学性能，降低晶体管结构的良率。
[0003]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种晶体管结构的制备方法及晶体管结构，能够有效阻挡金属元素的扩散，提高晶体管结构的电学性能，提高良率。
[0005]本公开实施例提供了一种晶体管结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成高K介质层；在所述高K介质层上形成第一功函数调整结构，所述第一功函数调整结构包括依序堆叠的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成高K介质层；在所述高K介质层上形成第一功函数调整结构，所述第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在所述第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在所述第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在所述第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在所述第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在所述第二功函数调整结构上形成栅极层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层、所述第二扩散阻挡层、所述第三扩散阻挡层和所述第四扩散阻挡层分别包括：至少一层TiN层；或，至少一层TaN层；或，所述TiN层和所述TaN层的叠层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高K介质层上形成第一功函数调整结构，包括：利用直流薄膜沉积工艺在所述高K介质层上形成所述第一扩散阻挡层；在所述第一扩散阻挡层上形成第一功函数调整层；利用直流薄膜沉积工艺在所述第一功函数调整层上形成所述第二扩散阻挡层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高K介质层上形成第一功函数调整结构，包括：利用射频薄膜沉积工艺在所述高K介质层上形成所述第一扩散阻挡层；在所述第一扩散阻挡层上形成第一功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在所述第一功函数调整层上形成所述第二扩散阻挡层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三扩散阻挡层的功函...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪振飞，俞华亮，王淑奇，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：