半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有复合结构；在复合结构上形成若干相互分立的掩膜结构；以若干掩膜结构为掩膜，对复合结构进行若干次循环处理，在基底上形成相互分立的若干鳍结构，鳍结构包括交替堆叠的若干牺牲层和若干沟道层，每次循环处理后，在相邻掩膜结构之间和复合结构内形成若干中间沟槽，每次循环处理的方法包括：在前次循环处理形成的中间沟槽侧壁面形成第一侧墙；以若干掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一侧墙、以及暴露的若干初始牺牲层和若干初始沟道层中的至少一层，增加所述前次循环处理形成的中间沟槽的深度。从而，提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体领域中，鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，与平面式的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流，现已广泛应用于半导体各种器件中。但随着半导体工艺的进一步发展，晶体管尺度缩小到几纳米以下，FinFET本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。
[0003]环绕式栅极(gate
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around，GAA)器件成为行业内研究和发展的一个新方向。这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状(可以理解为棍状)或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现MOSFET的基本结构和功能。这样设计在很大程度上解决了栅极间距尺寸减小后带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有复合结构，所述复合结构包括沿基底表面的法线方向交替堆叠的若干初始牺牲层和若干初始沟道层；在所述复合结构上形成若干相互分立的掩膜结构；以所述若干掩膜结构为掩膜，对所述复合结构进行若干次循环处理，在所述基底上形成相互分立的若干鳍结构，所述鳍结构包括沿基底表面的法线方向交替堆叠的若干牺牲层和若干沟道层，每次所述循环处理后，在相邻掩膜结构之间和所述复合结构内形成若干中间沟槽，每次所述循环处理的方法包括：在前次循环处理形成的中间沟槽侧壁面形成第一侧墙，所述第一侧墙至少位于所述掩膜结构、以及前次循环处理后已形成的沟道层和牺牲层的侧壁面；以若干所述掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一侧墙、以及暴露的若干初始牺牲层和若干初始沟道层中的至少一层，增加所述前次循环处理形成的中间沟槽的深度。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以若干所述掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一侧墙、以及暴露的若干初始牺牲层和若干初始沟道层中的至少一层的方法包括：以若干所述掩膜结构为掩膜，刻蚀1层暴露的初始牺牲层或1层暴露的初始沟道层。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述若干次循环处理在同一反应腔内进行。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在前次循环处理形成的中间沟槽侧壁面形成第一侧墙的方法包括：采用原位原子层沉积工艺，在所述掩膜结构顶面和前次循环处理形成的中间沟槽的内壁面形成第一侧墙膜；采用原位各向异性刻蚀工艺，刻蚀所述第一侧墙膜，直至暴露出所述掩膜结构的顶面和所述前次循环处理形成的中间沟槽的底面。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述原位原子层沉积工艺的方法包括：向反应腔通入氨基硅烷；在向反应腔通入氨基硅烷之后，向反应腔通入氧气。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原位原子层沉积工艺的参数包括：温度在100摄氏度以下。7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺包括等离子体刻蚀。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的工艺参数包括：偏置电压范围是600V～1300V。9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成掩膜结构之前，在所述复合结构表面形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恩宁，赵振阳，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：