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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有复合结构;在复合结构上形成若干相互分立的掩膜结构;以若干掩膜结构为掩膜,对复合结构进行若干次循环处理,在基底上形成相互分立的若干鳍结构,鳍结构包括交替堆叠的若干牺牲层和若干沟道层,每次...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有复合结构;在复合结构上形成若干相互分立的掩膜结构;以若干掩膜结构为掩膜,对复合结构进行若干次循环处理,在基底上形成相互分立的若干鳍结构,鳍结构包括交替堆叠的若干牺牲层和若干沟道层,每次...