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晶体管结构及其制备方法技术
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文档序号:38906925
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本公开实施例提供一种晶体管结构及其制备方法。该方法包括:提供衬底;在衬底上形成高K介质层;在高K介质层上形成第一功函数调整结构,第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层;在第一功函数调整结构上形成第二...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。
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