公开了具有背侧接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一和第二S/D区域；纳米结构半导体层的堆叠件，与第一S/D区域相邻设置；栅极结构，围绕每个纳米结构半导体层；第一对间隔件，设置在第一S/D区域的相对侧壁上；第二对间隔件，...

本发明的实施例提供了一种半导体单元结构及其制造方法。半导体单元结构包括第一互补金属氧化物半导体(CMOS)和第二CMOS，第一导电元件和第二导电元件。第一CMOS和第二CMOS被放置在衬底上，参考电压通过第一导电元件和第二导电元件分别提...

本文描述了用于对集成电路的一个或多个芯片执行管芯内和管芯间测试的系统、方法和设备。集成电路的单元包括数据寄存器、I/O焊盘和第一多路复用器。数据寄存器配置为输出信号。I/O焊盘耦合到数据寄存器，并配置为接收和缓冲信号。第一多路复用器耦合...

根据本公开的实施方式的半导体设备包括：第一存储器单元层，包括在第一方向上延伸的第一选择线、在第二方向上延伸的第二选择线，以及耦接至第一选择线和第二选择线的第一存储器单元；第二存储器单元层，被设置在所述第一存储器单元层之上，并且包括在第一...

一种制造集成电路(IC)结构的方法包括在第一半导体衬底的第一前侧上形成第一IC器件并且在第二半导体衬底的第二前侧上形成第二IC器件；从第一前侧在第一IC器件上方形成第一接触焊盘，并且从第二前侧在第二IC器件上方形成第二接触焊盘；将第一接...

一种半导体器件，包括：衬底；多个管芯，附接至衬底的第一侧；模制材料，位于所述多个管芯周围的衬底的第一侧上；第一重分布结构，位于衬底的与第一侧相对的第二侧上，第一重分布结构包括介电层和位于介电层中的导电部件，导电部件包括导电线、通孔以及与...

在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成FET结构，该FET结构包括垂直地布置在底部鳍结构上方的多个半导体片、环绕多个半导体片中的每个半导体片的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅电极以及源极/漏极结构。在栅电极上方形成栅极帽导电层，用...

一种半导体器件包括衬底，该衬底包括沿着第一横向方向延伸的第一沟槽和沿着第二横向方向延伸的第二沟槽；第一金属层，填充第一沟槽和第二沟槽中的每个；第二金属层，填充第一沟槽和第二沟槽中的每个，并且第二金属层设置在第一金属层之上并且与第一金属层...

本申请公开了一种存储器器件。在一个方面，存储器器件包括耦合到字线的存储器单元的组，以及耦合到跟踪字线和跟踪位线的跟踪单元。在一个方面，存储器器件包括耦合到跟踪字线的跟踪升压器电路。在一个方面，跟踪升压器电路被配置成升压施加于跟踪字线的第...

一种制造半导体装置的方法及系统，制造半导体装置的方法包含：在晶圆上方形成包含光阻组成物的光阻层以产生光阻涂覆晶圆；选择性地曝光光阻层于光化辐射以在光阻层中形成潜在图案；在显影腔室中通过在第一压力气流设定下施加显影剂至经选择性曝光的光阻层...

本实用新型提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型可以提高器件性能和可...

本实用新型的一些实施例是关于一种半导体记忆体装置，特别是具有垂直堆叠的源极、漏极及栅极连接的嵌入式记忆体装置。半导体记忆体装置包括基板及在第一方向上延伸的通道材料支柱。位元线设置在通道材料支柱上方且耦接到通道材料支柱，并且在垂直于第一方...

在本实用新型的实施例中，一种记忆体装置包括自旋轨道矩接线、将自旋轨道矩接线的第一端耦接至第一源极线的写入晶体管、将自旋轨道矩接线的第二端耦接至第二源极线的源极晶体管，及耦接至自旋轨道矩接线的多个磁隧道结，其中磁隧道结在写入晶体管和源极晶...

一种记忆体装置包括：包含主记忆体单元的主阵列；包含冗余记忆体单元的冗余阵列；及写入电路。写入电路包含一或多个写入驱动器，其包含电流镜电路及比较器。电流镜电路耦合在主阵列、冗余阵列与电源之间。比较器的输出与电流镜电路的第一端耦合。比较器的...

一种半导体装置包含在源极/漏极区中的晶种层以及提供形成的方法。半导体装置可以包含在基材上方的多个纳米结构、包围环绕多个纳米结构的栅极结构、相邻于多个纳米结构的源极/漏极区，以及在源极/漏极区和栅极结构之间的内间隔物。源极/漏极区可以包含...

本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；栅极电介质层，围绕第一纳米结构；第一p型功函数调整层，位于栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于电介质阻挡层...

一种集成电路(integratedcircuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域；第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者；...

本公开提出一种沉积工具以及夹具。本实用新型所述的一些实施方式提供技术以及设备，用于克服可使喷射器喷嘴偏斜到一薄膜炉管的一内壁中的力。夹具耦接到喷射器喷嘴。夹具可配置以锁定到喷射器喷嘴的一选定属性，以在喷射器喷嘴的一部分与内壁之间维持一间...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法，包括：形成电容器，包括：形成第一电容器电极；在所述第一电容器电极之上形成第一电容器绝缘体。形成所述第一电容器绝缘体包括：氧化所述第一电容器电极的顶表面层以在所述第一电容器电极上形成金属氧化物层...

本发明的实施例描述了具有非对称源极/漏极(S/D)设计的半导体器件。该半导体器件包括位于衬底上的多个半导体层、环绕多个半导体层的栅极结构，位于多个半导体层之间并且与栅极结构的第一侧接触的内部间隔件结构，以及与栅极结构的第二侧接触的外延层...