具有延伸接垫的图像传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型专利技术可以提高器件性能和可靠性。本实用新型专利技术可以提高器件性能和可靠性。本实用新型专利技术可以提高器件性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
具有延伸接垫的图像传感器


[0001]本技术实施例涉及一种图像传感器。

技术介绍

[0002]半导体图像传感器用于感测例如光的辐射，并将感测到的辐射转换为电信号。半导体图像传感器利用像素阵列(例如光电二极管)来感测投射到像素的辐射。这些图像传感器可以包括用于电连接的延伸接垫。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器用于例如数码相机和手机相机的各种应用。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种图像传感器，包括：图像感测组件，设置在衬底中；延伸接垫，设置在所述图像感测组件邻近处；多晶硅柱，设置在所述延伸接垫上；以及绝缘层，设置在所述图像感测组件、所述延伸接垫和所述多晶硅柱上方。
[0004]本技术实施例提供一种图像传感器，包括：图像感测组件的阵列，设置在芯片的中心部分；多个延伸接垫，沿着所述芯片的侧部设置；多个多晶硅柱，设置在所述多个延伸接垫中的每个延伸接垫上；以及层间介电层，设置在所述图像感测组件的所述阵列、所述多个延伸接垫和所述多个多晶硅柱上方。
附图说明
[0005]当接合附图阅读时，自以下详细描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：图像感测组件，设置在衬底中；延伸接垫，设置在所述图像感测组件邻近处；多晶硅柱，设置在所述延伸接垫上；以及绝缘层，设置在所述图像感测组件、所述延伸接垫和所述多晶硅柱上方。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像感测组件包括：光电二极管，包括n型区域和与所述n型区域相邻的p型区域；以及转移晶体管、扩散井、源极随耦器、重置晶体管、列选择晶体管和像素内电路，其中像素内电路包括列放大器、相关加倍取样电路及其组合。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述延伸接垫包括相对于所述衬底的前表面的弯曲表面。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多晶硅柱具有500纳米和900纳米之间的高度和具有2纳米和10纳米之间的边长的正方形横截面。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘层上的最高点与所述绝缘层上的最低点之间的距离小于400纳米。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：隔离结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：张胤杰，江彦廷，丁世汎，刘人诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：