公开了一种半导体器件和操作该半导体器件的方法。在一个方面中，半导体器件包括多个存储器单元、经由第一公共源极线连接到多个存储器单元的第一子集的第一参考单元、以及经由第二公共源极线连接到多个存储器单元的第二子集的第二参考单元。该半导体器件还...

在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器、用于形成图像传感器和相关器件结构的方法。在衬底中形成分离多个像素区域的背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。BDTI结构包围多个光电二极管并且包括布置在多个像素区域的交叉处的第一BDTI组件和布置在多...

一种制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光刻胶层并将碱组合物施加到光刻胶层，所述碱组合物包括无机碱、有机碱、热致碱生成剂或光致碱生成剂。将所述光刻胶层选择性地暴露于光化辐射，以形成潜在图案。通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶...

本文公开了用于金属

本发明描述了具有衬底、电路元件、第一金属化层和第二金属化层的结构。电路元件形成在衬底上。第一金属化层设置在衬底上方，并且包括电连接至电路元件的第一金属线以及沿第一方向延伸的第一伪金属线。第二金属化层设置在第一金属化层正上方，并且包括电连...

通过工艺形成膜，工艺包括：沉积第一压电层；在第一压电层上方沉积第一电极层；图案化第一电极层以形成第一电极；在第一电极上方沉积第二压电层；在第二压电层上方沉积第二电极层；图案化第二电极层以形成第二电极；以及在第二电极上方沉积第三压电层。蚀...

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上方形成第一焊盘；形成与第一焊盘相邻的第二焊盘；形成至少部分地位于第一焊盘和第二焊盘之间的第一组伪焊盘；以及在第一焊盘、第二焊盘和第一组伪焊盘上方沉积接合介电材料。本...

一种处理集成电路的方法，包括形成多个晶体管。该方法利用反色调图案化工艺，选择性地将偶极子驱入一些晶体管的栅极介电层中，同时防止偶极子进入其他晶体管的栅极介电层。可以重复此过程以产生多个晶体管，每个晶体管具有不同的阈值电压。本申请的实施例...

公开了在封装的半导体器件中熔融接合半导体管芯的方法以及由该方法形成的封装的半导体器件。在实施例中，半导体封装件包括第一管芯，该第一管芯包括半导体衬底和延伸穿过半导体衬底的贯通孔；第二管芯，接合到第一管芯，第二管芯包括接合焊盘，接合焊盘通...

EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，包括电路图案和设置在电路图案周围并连接到电路图案的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。的范围内。的范围内。

一种制造半导体装置的方法和半导体装置，特别是提供一种磊晶结构及一种用于形成此种结构的方法。该方法包括在一基板上形成一鳍片结构，其中该鳍片结构包括具有实质上一{110}结晶取向的一半导体材料。该方法包括蚀刻该鳍片结构的一部分以暴露该半导体...

一种实施例半导体封装组件可包括：中介层；集成被动装置，电性耦接到中介层的第一侧；底部填充材料部分，形成于集成被动装置与中介层的第一侧之间；以及坝，从中介层的第一侧突出，且配置用于约束底部填充材料部分的空间范围。坝可包括在中介层的第一侧的...

本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步...

器件包括衬底、位于衬底上方的纳米结构沟道的垂直堆叠件、包裹纳米结构沟道的栅极结构以及位于衬底上的源极/漏极区域。器件还包括与源极/漏极区域接触的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件包括第一材料的芯层。源极/漏极通孔位于源极/漏极接触件上方...

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相...

一种集成电路，包括多个SRAM单元。每个SRAM单元包括第一反相器，第一反相器具有垂直堆叠在第一有源区中的第一N型晶体管和第一P型晶体管。SRAM单元包括与第一反相器交叉耦接的第二反相器，并且第二反相器包括垂直堆叠在第二有源区中的第二N...

提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和...

根据本申请的实施例，描述了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在处理室中的衬底上方形成第一半导体层并且执行净化工艺。净化工艺包括使含氯气体流入处理室中。该方法还包括在第一半导体层上方形成第二半导体层，并且在第一半导体层和第二半导体层...

本申请的实施例涉及半导体结构、封装件及其形成方法。一种半导体器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中第一HEMT器件包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二半导体结构堆叠在第一半导体结构之上...

本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成具有金属栅极结构、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。设置在伪金属栅极结构之间的第一前侧接触件形成在隔离绝缘层上方。前侧布线层形成在第一前侧接触件上方。...