半导体器件及其操作方法技术

公开了一种半导体器件和操作该半导体器件的方法。在一个方面中，半导体器件包括多个存储器单元、经由第一公共源极线连接到多个存储器单元的第一子集的第一参考单元、以及经由第二公共源极线连接到多个存储器单元的第二子集的第二参考单元。该半导体器件还包括感测放大器，该感测放大器被配置为当从第一子集的第一存储器单元读取时，接收来自第二参考单元的输出和来自第一存储器单元的输出。的输出和来自第一存储器单元的输出。的输出和来自第一存储器单元的输出。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其操作方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其操作方法。

技术介绍

[0002]磁性随机存取存储器(MRAM)提供与易失性静态随机存取存储器(SRAM)相当的性能，以及与易失性动态随机存取存储器(DRAM)相当的密度和低功耗。与非易失性存储器(NVM)闪存存储器相比，MRAM提供了更快的存取时间，并且随着时间的推移性能退化最小，而闪存存储器只能被重写有限的次数。MRAM单元由磁隧道结(MTJ)形成，磁隧道结包括由薄绝缘阻挡层分隔的两个铁磁层，并且通过电子在两个铁磁层之间穿过绝缘阻挡层的隧穿来操作。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：多个存储器单元；第一参考单元，经由第一公共源极线连接到多个存储器单元的第一子集；第二参考单元，经由第二公共源极线连接到多个存储器单元的第二子集；以及感测放大器，被配置为当从第一子集的第一存储器单元读取时，接收来自第二参考单元的输出和来自第一存储器单元的输出。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种操作半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个存储器单元；第一参考单元，经由第一公共源极线连接到所述多个存储器单元的第一子集；第二参考单元，经由第二公共源极线连接到所述多个存储器单元的第二子集；以及感测放大器，被配置为当从所述第一子集的第一存储器单元读取时，接收来自所述第二参考单元的输出和来自所述第一存储器单元的输出。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述感测放大器还被配置为当从所述第二子集的第二存储器单元读取时，接收来自所述第一参考单元的输出和来自所述第二存储器单元的输出。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一参考单元、存储器单元的所述第一子集、存储器单元的所述第二子集和所述第二参考单元设置在存储器阵列的行中。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个存储器单元连接到多条位线，所述第一参考单元连接到第一参考位线，并且所述第二参考单元连接到第二参考位线，并且其中，所述第一参考位线和所述第二参考位线设置在所述多条位线的相对侧。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第一多路复用器，所述第一多路复用器被配置为当从所述第一存储器单元读取时，接收所述多个存储器单元的输出，并将所述第一存储器单元的所述输出输出到所述多条位线中的第一位线。6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括第二多路复用器，所述第二多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯浩，史毅骏，李嘉富，池育德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：