制造半导体器件的方法技术

一种制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光刻胶层并将碱组合物施加到光刻胶层，所述碱组合物包括无机碱、有机碱、热致碱生成剂或光致碱生成剂。将所述光刻胶层选择性地暴露于光化辐射，以形成潜在图案。通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶层来使潜在图案显影以在光刻胶层中形成图案。碱组合物在一个或多个选自如下的操作中施加到光刻胶层：碱组合物在形成光刻胶层之前作为底层施加到基板且随后所述组合物被光刻胶层吸收，在预暴露烘烤操作期间，在光刻胶层被选择性暴露之后且在使潜在图案显影之前，以及在使潜在图案显影之后。影之后。影之后。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法


[0001]本公开涉及及半导体集成电路器件制造，且更具体而言，涉及制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]随着消费型设备应消费者需求而变得越来越小，这些设备的各个部件的尺寸也必须缩小。半导体器件作为手机、平板电脑等设备的主要部件，已被迫变得越来越小，对应地也迫使半导体器件内单个器件(例如，晶体管、电阻器、电容器等)的尺寸也要缩小。
[0003]在半导体器件的制造过程中使用的一种使能技术是使用光刻材料。将此类材料施加到待图案化的层体的表面，然后暴露于能使其图案化的能量。这种暴露改变了感光材料的暴露区域的化学和物理特性。这种改变，以及未暴露的感光材料区域中未经改变，可用于去除一个区域而不去除另一个区域，反之亦然。
[0004]然而，随着单个器件的尺寸缩小，用于光刻处理的工艺窗口变得越来越紧密。因此，推进光刻处理领域向前发展对于使器件能够保持按比例缩小是必要的，并且为了满足所需的设计标准，从而可以保持向越来越小的部件迈进，需要进一步改进。
[0005]随着半导体行业发展到纳米技术工艺节点以追求更高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基板上方形成光刻胶层；将碱组合物施加到所述光刻胶层，其中所述碱组合物包括无机碱、有机碱、热致碱生成剂或光致碱生成剂；将所述光刻胶层选择性暴露于光化辐射，以形成潜在图案；以及通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶层来使所述潜在图案显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中在一个或多个操作中将所述碱组合物施加到所述光刻胶层，所述一个或多个操作选自：将所述碱组合物在所述光刻胶层形成之前作为底层施加到所述基板且随后所述碱基组合物被所述光刻胶层吸收，将所述碱组合物在预暴露烘烤操作期间施加，将所述碱组合物在所述光刻胶层选择性暴露于光化辐射之后且在使所述潜在图案显影之前施加，以及将所述碱组合物在使所述潜在图案显影之后施加。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶层在真空室中形成，并且所述碱组合物在所述真空室中施加到所述光刻胶层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱组合物在暴露后烘烤操作期间或在所述暴露后烘烤操作之后的冷却操作期间施加到所述光刻胶层。4.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基板上方形成光刻胶层；将碱组合物施加到所述光刻胶层，将所述光刻胶层选择性暴露于光化辐射，以形成潜在图案；以及通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶层来使所述潜在图案显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆裕，訾安仁，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：