本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括衬底。一个或多个下部互连件设置在位于衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内。等离子体诱导损伤(PID)缓解层设置在下部ILD结构上方。PID缓解层具有包含金属的多孔结构。第一上部互连件由位于PID...

本文提供了一种清洁薄膜框架和薄膜膜层的装置及方法。在清洁薄膜的过程中，使用至少一个气体喷嘴在薄膜上流动气体。在流动期间，薄膜对于至少一个气体喷嘴相对移动。在流动期间，薄膜通过至少一个α离子产生器产生暴露于离子化气体中。同样在流动期间，使...

本申请公开了半导体器件中的隔离结构的轮廓控制。公开了具有掺杂浅沟槽隔离(STI)结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成超晶格结构，在第一沉积工艺中围绕超晶格结构和鳍结构沉积氧化物衬垫，在氧化物衬垫上...

本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：互连结构至少包括第一互连元件和第二互连元件；导电垫层设置在第一互连元件上方并且电连接至第一互连元件；盖层设置在导电垫层上方。盖层包括氮化钛；介电层设置在盖层上方；导电接触件至少...

本揭露所述的一些实施例提供影像感测器装置的配置。在一些实施例中，像素感测器的一或多个晶体管是包含于影像感测器装置的电路晶粒上(例如特殊应用集成电路(ASIC)或其他类型的电路晶粒)。一或多个晶体管可包含源极耦随耦器晶体管、行选择晶体管及...

一种半导体结构，包括第一导电结构；介电层，位于第一导电结构上；以及第二导电结构，位于介电层中并电性连接至第一导电结构，且第二导电结构包括：导电层；阻挡层，夹设于导电层的侧壁与介电层的侧壁之间，其中阻挡层不延伸于导电层的下表面与第一导电结...

本公开各种实施例针对一种包括存储器单元的存储器装置。存储器单元包括设置在基板上的多个半导体装置。下金属间介电(IMD)结构在半导体装置上方。多个导电通孔和多个导线设置在下IMD结构内并且电性耦接至半导体装置。数据备份单元在多个导电通孔和...

本发明公开了一种结构和方法，涉及一种带有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法，该半导体结构具有通过单掩模工艺形成的电阻器结构和金属

本揭露的一实施例提供一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含记忆体单元以及第一写入辅助电路。记忆体单元以第一供应电压及第二供应电压操作，第二供应电压不同于第一供应电压。第一写入辅助电路包含第一写入辅助开关及第二写入辅助开关，第一写入辅...

本申请的实施例公开了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。第一和第二纳米结构分别包括栅电极。背侧沟槽将第一栅电极与第二栅电极分开。背侧沟槽中填充了体介电材料。栅极帽金属将第一栅电极电连接到第二栅电...

本文描述了用于生成具有特定占空比的脉冲宽度调制(PWM)信号的系统、方法和器件。在一个实施例中，系统包括方波发生器和逻辑器件。方波生成器用以延迟输入方波信号以生成多个方波信号。逻辑器件被配置为对多个方波信号中的两个方波信号执行逻辑操作，...

本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设...

本申请提供了封装结构和器件结构。根据本公开的封装结构包括底部衬底、位于底部衬底之上的底部互连结构、设置在底部互连结构之上并且包括金属特征的顶部互连结构、位于顶部互连结构之上的顶部衬底以及设置在顶部衬底上的保护膜。保护膜包括顶部衬底上的界...

在实施例中，一种集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；以面对背的方式接合至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯；与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯的伪半导体部件；附接至伪半导体部件和第二集成电路管芯的支撑衬底；沿着支撑衬底的...

本公开的各种实施例针对包括具有不同带隙的半导体衬底的三维(3D)IC。3D IC芯片包括第一IC芯片和覆盖并接合到第一IC芯片的第二IC芯片。第一IC芯片包括具有第一带隙的第一半导体衬底，并且还包括在第一半导体衬底上并且部分地由第一半导...

本公开涉及用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构。将传感器晶圆的第一侧面接合到第一逻辑晶圆的第一侧面。传感器晶圆包含像素，该像素被配置为检测通过传感器晶圆的与第一侧面相反的第二侧面进入传感器晶圆的辐射。第一逻辑晶圆包含被配置为操作像...

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。5...

本揭露描述一种半导体结构及其形成方法，特别是具有金属离子捕获层的半导体结构及形成该结构的方法。方法包括在基板上方形成第一鳍片结构及第二鳍片结构，并在第一鳍片结构上方形成第一栅极结构及在第二鳍片结构上方形成第二栅极结构，其中第一栅极结构与...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一导电特征；在第一导电特征上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层的第二导电特征；在第一介电层与第二导电特征之间的气隙；以及在第二导电特征及第一介电层上方的蚀刻停止层。蚀刻停止层覆盖气隙，且气隙在...

本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构...