三维集成电路及其形成方法技术

本公开的各种实施例针对包括具有不同带隙的半导体衬底的三维(3D)IC。3D IC芯片包括第一IC芯片和覆盖并接合到第一IC芯片的第二IC芯片。第一IC芯片包括具有第一带隙的第一半导体衬底，并且还包括在第一半导体衬底上并且部分地由第一半导体衬底形成的第一器件。第二IC芯片包括具有不同于第一带隙的第二带隙的第二半导体衬底，并且还包括在第二半导体衬底上的第二器件。本申请的实施例还提供了三维集成电路及其形成方法。成电路及其形成方法。成电路及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
三维集成电路及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及三维集成电路及其形成方法。

技术介绍

[0002]基于硅的半导体器件在过去几十年中一直是标准。然而，基于氮化镓(GaN)等的半导体器件越来越多地用于电源/转换器应用和射频(RF)应用。与基于硅的半导体器件相比，基于GaN等的半导体器件具有宽的带隙(bandgap)。除其他外，宽带隙能够在高频、高压和高温下操作。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种三维(3D)集成电路(IC)，包括：第一IC芯片，包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底上并且部分地由第一半导体衬底形成的第一半导体器件；和第二IC芯片，包括第二半导体衬底和位于第二半导体衬底上并且部分地由第二半导体衬底形成的第二半导体器件；其中，第一IC芯片和第二IC芯片垂直堆叠并且接合在一起，并且其中第一半导体衬底具有比第二半导体衬底更大的带隙。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种三维(3D)集成电路(IC)，包括：第一半导体衬底；第一器件和位于第一半导体衬底上的第一互本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维集成电路，包括：第一集成电路芯片，包括第一半导体衬底和位于所述第一半导体衬底上并且部分地由所述第一半导体衬底形成的第一半导体器件；和第二集成电路芯片，包括第二半导体衬底和位于所述第二半导体衬底上并且部分地由所述第二半导体衬底形成的第二半导体器件；其中，所述第一集成电路芯片和所述第二集成电路芯片垂直堆叠并且接合在一起，并且其中所述第一半导体衬底具有比所述第二半导体衬底更大的带隙。2.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述第一半导体衬底包括氮化镓，并且其中所述第二半导体衬底包括硅。3.根据权利要求1所述的三维集成电路，还包括：电源转换器，部分地由所述第一半导体器件形成并且部分地由所述第二半导体器件限定。4.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件是有源半导体器件。5.根据权利要求1所述的三维集成电路，还包括：第三集成电路芯片，包括第三半导体衬底和位于所述第三半导体衬底上并且部分地由所述第三半导体衬底形成的第三半导体器件；和第四集成电路芯片，包括第四半导体衬底和位于所述第四半导体衬底上并且部分地由所述第四半导体衬底形成的第四半导体器件；其中，所述第一集成电路芯片、所述第二集成电路芯片、所述第三集成电路芯片和所述第四集成电路芯片垂直堆叠并且接合在一起，并且其中所述第一半导体衬底和所述第三半导体衬底共享第一公共带隙，所述第一公共带隙大于由所述第二半导体衬底和所述第四半导体衬底共享的第二带隙。6.根据权利要求5所述的三维集成电路，还包括：第一电源转换电路，由所述第一集成电路芯片和所述第二集成电路芯片形成；和第二电源转换电路，由所述第三集...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀中，刘世谦，游家睿，蔡俊琳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：