在实施例中，一种器件包括：介电层，位于半导体衬底的有源表面上方；导电通孔，位于介电层中，该导电通孔包括具有非均匀晶粒取向的第一铜层；以及接合焊盘，位于导电通孔上方和介电层中，接合焊盘包括具有均匀晶粒取向的第二铜层，接合焊盘的顶面与介电层...

本文公开了互连结构及其制造方法。示例性方法包括：在第一层间电介质(ILD)层中形成第一互连开口，该第一互连开口暴露下面的导电特征(例如，源极/漏极、栅极、接触件、过孔或导线)。该方法包括在第一互连开口中形成第一金属接触件之前，对由第一I...

本发明的各个实施例针对集成电路。集成电路包括具有上部面和下部面的衬底。上部面包括中心区域和横向地围绕中心区域并且从上部面延伸到下部面的外侧壁。设置在衬底的上部面上方的光学边缘耦合器，并且光学边缘耦合器在第一方向上从中心区域朝向外侧壁延伸...

器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直...

一种存储器器件包括在第一方向上延伸的写入位线和读取位线，以及在垂直于第一方向的第二方向上延伸的写入字线和读取字线。存储器器件还包括存储器单元，该存储器单元包括写入晶体管和读取晶体管。写入晶体管包括连接到写入字线的第一栅极、连接到写入位线...

揭示一种记忆体装置及其操作方法以及记忆体系统。在一个态样中，记忆体装置包括连接至记忆体阵列的多个记忆体单元的位元线，位元线具有第一长度。记忆体装置包括具有基于记忆体阵列的大小决定的第二长度的第一可程序位元线，及连接至位元线及第一可程序位...

一种电源传输装置及电源传输系统，电源传输装置包括基板、第一晶片、第一凸块、第二凸块及第一电容。第一晶片用以接收第一参考电压信号及第二参考电压信号。第一凸块位于基板及第一晶片之间，并用以从基板传输第一参考电压信号至第一晶片。第二凸块位于基...

一种半导体装置，此处提供在形成外延层于鳍状场效晶体管的源极/漏极区中之前，形成绝缘层于半导体基板之中或之上的一些技术与设备。外延层可形成于绝缘层上，以减少鳍状场效晶体管的源极/漏极区之间的电子穿隧。在此方式中，可减少流动至鳍状场效晶体管...

一种绝缘栅双极性晶体管及其晶片，绝缘栅双极性晶体管包含半导体基材、三维隔离区、集极区、缓冲区、第二导电型的漂移区本体区及至少一源极区，其中半导体基材具有顶面，且顶面在水平面中延伸；三维隔离区具有底部及侧壁部分；第一导电型的集极区是设置于...

半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一介电层；第一导电结构，位于第一介电层中；一或多层第二介电层，位于第一介电层上方及第一导电结构上方；第二导电结构，位于第二介电层中及第一导电结构之上；一或多层金属衬层，位于第二导电结构与第二介电...

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。本文所述的一些实施方式提供了在其中形成缓冲区域在装置的源极/漏极区域下方的技术及半导体装置。配置缓冲区域以减少、预防及/或阻挡掺质从源极/漏极区域迁移到装置的其他区域，例如相邻于鳍片结构的平台区域。...

本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，其中半导体区域暴露于沟槽；形成延伸进入沟槽内的栅极电介质层；以及在栅极电介质层上沉...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一衬底，具有相反的第一侧和第二侧；第一导电层，位于第一衬底的第一侧上；以及第二衬底，具有相反的第一侧和第二侧。第二衬底的第二侧接合到第一衬底的第一侧。第二衬底包括：半导体材料；以及...

本公开涉及混合集成电路管芯及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：氮化镓器件，位于衬底上，该氮化镓器件包括电极；电介质层，位于氮化镓器件上和周围；隔离层，位于电介质层上；半导体层，位于隔离层上，该半导体层包括硅器件；通孔，延伸穿过半...

本公开涉及晶体管中的功函数金属及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽；形成延伸进入沟槽内并且位于半导体区域上的栅极电介质层；以及在栅极电介质层之...

本公开涉及金属栅极结构及其形成方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极沟槽，在栅极沟槽中沉积栅极电介质层和功函数层，在功函数层之上沉积帽盖层，钝化帽盖层的表面部分以形成钝化层，去除钝化层，在栅极沟槽中沉积填充层，使...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一实施例包括一种器件，该器件包括：从衬底延伸出的第一半导体鳍、从衬底延伸出的第二半导体鳍、在衬底之上的混合鳍，混合鳍布置在第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，并且混合鳍具有从混合鳍的顶表面向下延伸的氧化物内...

提供一种半导体封装与其制作方法。半导体封装包括：一底部晶粒，底部晶粒具有形成于底部晶粒的一顶表面处的一第一接合层；底部晶粒上的一顶部晶粒，其中顶部晶粒包含形成于顶部晶粒的一底表面处的一第二接合层，且通过使用混合式接合来接合第一接合层及第...

本揭露提供一种半导体晶粒。该半导体晶粒包括：一硅基板；一接合层，其形成于该硅基板的一背侧处且包括一第一金属衬垫；一多层互连(MLI)结构，其形成于该硅基板的一前侧处；一第一直通硅通道(TSV)，其在一垂直方向上穿透该硅基板及该MLI结构...

提供一种拾放系统及其操作方法。拾放系统包含：晶圆固持器，用以固持底部晶粒；高架，具有向下延伸的稳定器；主驱动机构，连接至高架且用以水平及垂直驱动高架；吸头，用以固持顶部晶粒；及辅助驱动机构，位于高架处且连接至吸头且用以水平及垂直驱动吸头...