集成电路及其形成方法技术

本申请的实施例公开了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。第一和第二纳米结构分别包括栅电极。背侧沟槽将第一栅电极与第二栅电极分开。背侧沟槽中填充了体介电材料。栅极帽金属将第一栅电极电连接到第二栅电极。金属将第一栅电极电连接到第二栅电极。金属将第一栅电极电连接到第二栅电极。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及集成电路及其形成方法。

技术介绍

[0002]电子设备(包括智能手机、平板电脑、台式电脑、笔记本电脑和许多其他类型的电子设备)的计算能力不断增长。集成电路为这些电子设备提供计算能力。提高集成电路计算能力的一种方法是增加晶体管的数量和可用于半导体衬底的给定区域中的其他集成电路部件的数量。
[0003]纳米结构晶体管有助于提高计算能力，因为纳米结构晶体管可以非常小，并且可以比传统晶体管具有改进的功能。纳米结构晶体管可以包括充当晶体管的沟道区的多个半导体纳米结构(例如纳米线、纳米片等)。栅极端子可以耦合到纳米结构。可能难以形成具有所需特性的栅极端子。

技术实现思路

[0004]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种形成集成电路的方法，包括：形成与集成电路中的第一纳米结构晶体管的沟道区对应的多个第一半导体纳米结构；形成与第二纳米结构晶体管的沟道区对应的多个第二半导体纳米结构；围绕第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构形成栅极金属；在栅极金属上形成栅极帽金属；通过从集成电路的背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路的方法，包括：形成与集成电路中的第一纳米结构晶体管的沟道区对应的多个第一半导体纳米结构；形成与第二纳米结构晶体管的沟道区对应的多个第二半导体纳米结构；围绕所述第一半导体纳米结构和所述第二半导体纳米结构形成栅极金属；在所述栅极金属上形成栅极帽金属；通过从所述集成电路的背侧执行第一蚀刻工艺，形成穿过所述第一半导体纳米结构和所述第二半导体纳米结构之间的所述栅极金属的第一沟槽；以及沉积位于所述第一沟槽中的所述栅极金属的侧壁上并且与所述栅极帽金属接触的第一介电层。2.根据权利要求1所述的方法，包括执行所述第一蚀刻工艺并且在所述栅极帽金属处停止所述第一蚀刻工艺。3.根据权利要求2所述的方法，包括通过执行所述第一蚀刻工艺，从所述栅极金属限定所述第一纳米结构晶体管的第一栅电极和所述第二纳米结构晶体管的第二栅电极。4.根据权利要求2所述的方法，包括：形成与所述集成电路中的第三纳米结构晶体管的沟道区对应的多个第三半导体纳米结构；围绕所述第三半导体纳米结构沉积所述栅极金属；以及通过利用所述第一蚀刻工艺形成穿过所述第二半导体纳米结构和所述第三半导体纳米结构之间的所述栅极金属的第二沟槽，而从所述栅极金属限定第三栅电极。5.根据权利要求4所述的方法，包括：在沉积所述第一介电层之前，通过从所述集成电路的所述背侧执行第二蚀刻工艺去除所述第二沟槽处的所述栅极帽金属的部分，而将所述第二栅电极与所述第一栅电极电隔离。6.根据权利要求5所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王圣璁，苏焕杰，谌俊元，黄麟淯，蔡庆威，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：