压电微机电系统(MEMS)结构及其形成方法技术方案

技术编号:38631860 阅读:33 留言:0更新日期:2023-08-31 18:30
通过工艺形成膜,工艺包括:沉积第一压电层;在第一压电层上方沉积第一电极层;图案化第一电极层以形成第一电极;在第一电极上方沉积第二压电层;在第二压电层上方沉积第二电极层;图案化第二电极层以形成第二电极;以及在第二电极上方沉积第三压电层。蚀刻第三压电层、第二压电层和第一压电层以形成通孔。通孔与第一电极和第二电极横向间隔开。然后形成第一接触插塞和第二接触插塞以分别电连接至第一电极和第二电极。本申请的实施例还涉及压电微机电系统(MEMS)结构及其形成方法。微机电系统(MEMS)结构及其形成方法。微机电系统(MEMS)结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
压电微机电系统(MEMS)结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及压电微机电系统(MEMS)结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS)器件通常具有膜,膜是可移动的柔性结构。膜足够薄,使得它们可以振动。为了使膜振动,在膜中形成薄通孔,使得气流可以通过。通孔设计得较小,使得气体泄漏减少。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成压电微机电系统(MEMS)结构的方法,包括:形成膜,包括:沉积第一压电层;在所述第一压电层上方沉积第一电极层;图案化所述第一电极层以形成第一电极;在所述第一电极上方沉积第二压电层;在所述第二压电层上方沉积第二电极层;图案化所述第二电极层以形成第二电极;以及在所述第二电极上方沉积第三压电层;蚀刻所述第三压电层、所述第二压电层和所述第一压电层以形成通孔,其中,所述通孔与所述第一电极和所述第二电极横向间隔开;以及形成分别电连接至所述第一电极和所述第二电极的第一接触插塞和第二接触插塞。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种压电微机电系统(MEMS)结构,包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成压电微机电系统(MEMS)结构的方法,包括:形成膜,包括:沉积第一压电层;在所述第一压电层上方沉积第一电极层;图案化所述第一电极层以形成第一电极;在所述第一电极上方沉积第二压电层;在所述第二压电层上方沉积第二电极层;图案化所述第二电极层以形成第二电极;以及在所述第二电极上方沉积第三压电层;蚀刻所述第三压电层、所述第二压电层和所述第一压电层以形成通孔,其中,所述通孔与所述第一电极和所述第二电极横向间隔开;以及形成分别电连接至所述第一电极和所述第二电极的第一接触插塞和第二接触插塞。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三压电层、所述第二压电层和所述第一压电层通过湿蚀刻工艺来蚀刻。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述湿蚀刻工艺使用磷酸溶液来实施。4.根据权利要求2所述的方法,其中,实施所述湿蚀刻工艺以使得所述通孔具有笔直和倾斜的侧壁。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一压电层、所述第二压电层和所述第三压电层具有单晶结构。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一电极层和所述第二压电层通过外延来沉积。7.根据权利要求1所述的方法,还包括:在...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈亭蓉
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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