一种芯片、制备方法以及传感器技术

本发明专利技术公开了一种芯片、制备方法以及传感器，方法包括在衬底上形成硅通孔；其中，所述硅通孔的边线为直线或者曲线；当所述硅通孔的边线为直线时，所述硅通孔错位排列。本发明专利技术方法通过将硅通孔的边线加工成曲线，或者使边线为直线的硅通孔呈错位排列，使相邻的直线型硅通孔之间形成的位移矢量与衬底表面的晶向具有锐角或钝角的夹角，避免通孔位置处的微观晶体层面产生细小裂纹累积破坏衬底，在不需要制造工序的任何特殊调整的同时，使破片率从常规的80％降到0％，从根本上解决了晶圆破片的风险。从根本上解决了晶圆破片的风险。从根本上解决了晶圆破片的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片、制备方法以及传感器


[0001]本专利技术涉及芯片
，尤其涉及一种芯片、制备方法以及传感器。

技术介绍

[0002]MEMS(微机电系统)中，TSV(硅通孔)深硅刻蚀完成后，在后续光刻区旋涂光阻、湿法清洁以及干法刻蚀去除光阻的工艺中，因为涉及高速旋转、高能离子轰击、高温等工艺，加工硅通孔的wafer(晶圆)存在高破片率的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的芯片、制备方法以及传感器。
[0004]第一方面，提供一种芯片制备方法，包括：在衬底上形成硅通孔；其中，所述硅通孔的边线为直线或者曲线；当所述硅通孔的边线为直线时，所述硅通孔错位排列。
[0005]可选的，当所述硅通孔的边线为直线时，两个相邻的所述硅通孔之间形成的位移矢量与所述衬底表面的晶向具有夹角，所述夹角为锐角或钝角。
[0006]可选的，所述硅通孔由线形孔首尾相接围成设定形状，所述线形孔的边线形成所述硅通孔的边线。
[0007]可选的，所述在衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成硅通孔；其中，所述硅通孔的边线为直线或者曲线；当所述硅通孔的边线为直线时，所述硅通孔错位排列。2.如权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，当所述硅通孔的边线为直线时，两个相邻的所述硅通孔之间形成的位移矢量与所述衬底表面的晶向具有夹角，所述夹角为锐角或钝角。3.如权利要求1或2所述的芯片制备方法，其特征在于，所述硅通孔由线形孔首尾相接围成设定形状，所述线形孔的边线形成所述硅通孔的边线。4.如权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成硅通孔，包括：在所述衬底表面沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层形成与所述硅通孔的版图对应的凹槽；根据所述凹槽在所述衬底上刻蚀出所述硅通孔。5.如权利要求4所述的芯片制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成硅通...

【专利技术属性】
技术研发人员：张向超，李占猛，沈勇，董善，李想，王飞飞，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：