【技术实现步骤摘要】
一种深盲孔均匀性刻蚀方法
[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造
，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。
技术介绍
[0002]在半导体芯片制造过程中，对晶圆进行刻蚀是半导体制造工艺中的常见步骤。随着MEMS工艺的发展，关键尺寸日益变小，对整个硅片的刻蚀均匀性要求越来越高。通孔是指穿过可以穿过衬底等材料的孔，盲孔则是一端不通的孔。在刻蚀中，通孔刻蚀只需要将衬底刻穿即可，而盲孔刻蚀需要在目标深度停止刻蚀，若过多刻蚀，会损伤下层结构或者无法实现对应功能，达不到器件的设计指标。通过改善设备刻蚀参数的方法能减小深盲孔刻蚀的刻蚀误差，但仍无法避免，刻蚀误差会对深盲孔的刻蚀深度有很大影响。现在MEMS工艺刻蚀设备的深盲孔刻蚀误差在
±
3%，刻蚀深度的差别主要体现在不同区域之间，相邻盲孔的深度差别很小。例如盲孔刻蚀目标400μm,刻蚀结束后刻蚀深度在388μm~412μm之间，这对于一些器件来说，刻蚀深度和设计深度数值误差过大，参见图2，在刻蚀片的中心区域与边缘区域的盲孔之间往往存在20μm左右的深度差异,最多达到3...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种深盲孔均匀性刻蚀方法，其特征在于，包括：S1:对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算测试硅片的刻蚀速率；S2:使用S1中的刻蚀速率对硅片分两个阶段进行盲孔刻蚀；S3:第一阶段结束后分区域进行深度测量，根据深度测量结果确定第二阶段刻蚀速率；S4:在第二个刻蚀阶段结束后，分区域进行深度测量，若某一区域深度达到目标深度时，使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡；若某一区域深度未达到目标深度时，进入步骤S5；S5:调节刻蚀参数，继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀；S6:重复步骤S4
‑
S5，当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后，停止刻蚀，将遮挡物剥下。2.根据权利要求1所述的深盲孔均匀性刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1包括：将测试硅片放入刻蚀设备中，采用预设刻蚀参数进行刻蚀，刻蚀深度小于目标深度；对形成的刻蚀盲孔进行深度测量，计算刻蚀速率,刻蚀速率=刻蚀深度/刻蚀时间，单位为
Å
/min。3.根据权利要求2所述的深盲孔均匀性刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2包括：按照盲孔深度分为两个阶段，第一阶段预计刻蚀深度为盲孔总深度的一半，第二阶段预计刻蚀深度为刻蚀总深度减去第一阶段的刻蚀深度。4.根据权利要求1所述的深盲孔均匀性刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3包括：将实际刻蚀深度与第一阶段的预计深度进行比较，若实际刻蚀深度小于等于第一阶段的预计深度，使用原刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷程，梁庭，冀鹏飞，熊继军，王宇峰，郝亚峰，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：
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