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本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括：S1对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算刻蚀速率；S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀；S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量，S4在第二个刻蚀阶段结束后，分区...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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