集成电路结构制造技术

一种集成电路(integrated circuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域；第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者；第一类金属定义(metal

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构


[0001]本揭示的一实施例是关于一种集成电路结构，特别是关于一种包含类金属定义区段以及隔离结构的集成电路结构。

技术介绍

[0002]将集成电路(integrated circuit,IC)小型化的最新趋势已导致不断变得更小的装置，相比于早先技术，此些装置消耗更少功率，但以更高速度提供更多功能。已经由与日益严格的规范挂钩的设计及制造创新实现了此种小型化。使用各种电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具来产生、修订并验证半导体装置的设计，而同时确保符合IC结构设计及制造规范。

技术实现思路

[0003]本揭露的一实施例提供一种集成电路结构，包括第一主动区域及第二主动区域、第一栅极结构及第二栅极结构、第一类金属定义区段以及隔离结构。第一主动区域及第二主动区域在第一方向上在半导体基板中延伸。第一栅极结构及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一栅极结构及第二栅极结构中的每一者上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者。第一类金属定义区段在第二方向上在第一栅极结构及第二栅极结构之间延伸，且上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者。隔离结构定位在第一类金属定义区段与第一主动区域之间。第一类金属定义区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分电隔离。
[0004]本揭露的另一实施例提供一种集成电路结构，包括第一电力导轨、第一主动区域及第二主动区域、第一栅极结构及第二栅极结构、第一类金属定义区段以及第一隔离结构。第一电力导轨在第一方向上在半导体基板中延伸。第一主动区域及第二主动区域在第一方向上在半导体基板中延伸。第一栅极结构及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一栅极结构及第二栅极结构中的每一者上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者。第一类金属定义区段在第二方向上在第一栅极结构及第二栅极结构之间延伸且上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者。第一隔离结构定位在第一类金属定义区段与第一主动区域的在第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分之间。第一主动区域的在第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分电连接至第一电力导轨。第一类金属定义区段电连接至第二主动区域的在第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分且与第一电力导轨电隔离。
[0005]本揭露的另一实施例提供一种集成电路结构，包括第一主动区域及第二主动区域、第一栅极结构及第二栅极结构、隔离结构以及第一类金属定义区段。第一主动区域及第二主动区域在第一方向上在半导体基板中延伸。第一栅极结构及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一栅极结构及第二栅极结构中的每一者上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者。隔离结构上覆于第一主动区域的在第一栅极结构及第二
栅极结构之间的部分。第一类金属定义区段在第二方向上延伸且上覆于第一主动区域及第二主动区域中的每一者以及隔离结构。第一类金属定义区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分电隔离。
附图说明
[0006]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A至图1E为根据一些实施例的IC布局图及对应IC结构的附图；
[0008]图2A及图2B为根据一些实施例的IC布局图及对应IC结构的附图；
[0009]图2C及图2D为根据一些实施例的IC布局图及对应IC结构的附图；
[0010]图3A至图3C为根据一些实施例的IC布局图及对应IC结构的附图；
[0011]图4为根据一些实施例的IC布局图及对应IC装置的平面图的附图；
[0012]图5为根据一些实施例的IC布局图及对应IC装置的平面图的附图；
[0013]图6为根据一些实施例的IC布局图及对应IC装置的平面图的附图；
[0014]图7为根据一些实施例的IC布局图及对应IC装置的平面图的附图；
[0015]图8为根据一些实施例的制造IC结构的方法的流程图；
[0016]图9为根据一些实施例的产生IC布局图的方法的流程图；
[0017]图10为根据一些实施例的IC布局图产生系统的方块图；
[0018]图11为根据一些实施例的IC制造系统的方块图以及与其相关联的IC制造流程。
[0019]【符号说明】
[0020]100A:IC布局/结构
[0021]100B:IC布局/结构
[0022]100C:IC布局/结构
[0023]100D:IC布局/结构
[0024]100E:IC布局/结构
[0025]200A:IC布局/结构
[0026]200C:IC布局/结构
[0027]300A:IC布局/结构
[0028]300B:IC布局/结构
[0029]300C:IC布局/结构
[0030]400:IC布局/装置
[0031]500:IC布局/装置
[0032]600:IC布局/装置
[0033]700:IC布局/装置
[0034]800:方法
[0035]810:操作
[0036]820:操作
[0037]830:操作
[0038]840:操作
[0039]850:操作
[0040]860:操作
[0041]900:方法
[0042]910:操作
[0043]920:操作
[0044]930:操作
[0045]940:操作
[0046]950:操作
[0047]960:操作
[0048]970:操作
[0049]1000:IC制造系统,IC布局图产生系统
[0050]1002:硬件处理器
[0051]1004:非暂时性的计算机可读储存媒体
[0052]1006:计算机程序码,指令
[0053]1007:布局库
[0054]1008:总线
[0055]1010:I/O接口
[0056]1012:网络接口
[0057]1014:网络
[0058]1042:使用者界面
[0059]1100:IC制造系统
[0060]1120:设计室
[0061]1122:IC设计布局图
[0062]1130:遮罩室
[0063]1132:遮罩数据准备
[0064]1144:遮罩制造
[0065]1145:遮罩
[0066]1150:IC晶圆厂
[0067]1152:制造工具
[0068]1153:半导体晶圆
[0069]1160:IC装置
[0070]A1:栅极
[0071]A2:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：一第一主动区域及一第二主动区域，在一第一方向上在一半导体基板中延伸；一第一栅极结构及一第二栅极结构，在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构中的每一者上覆于该第一主动区域及该第二主动区域中的每一者；一第一类金属定义区段，在该第二方向上在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间延伸，且上覆于该第一主动区域及该第二主动区域中的每一者；以及一隔离结构，定位在该第一类金属定义区段与该第一主动区域之间，其中该第一类金属定义区段电连接至该第二主动区域且与该第一主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的一部分电隔离。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包括：一电力导轨，定位在该半导体基板的一背侧中；以及一通孔结构，用以将该电力导轨电连接至该第一主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的该部分。3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包括：一内埋式电力导轨，与该第一主动区域相邻地在该第一方向上延伸；以及一第二类金属定义区段，用以将该内埋式电力导轨电连接至该第一主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的该部分，其中该第二类金属定义区段定位在该隔离结构与该内埋式电力导轨及该第一主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的该部分中的每一者之间。4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包括：一第二类金属定义区段，上覆且电连接至该第一主动区域，其中该第一栅极结构定位在该第一类金属定义区段及该第二类金属定义区段之间；以及一金属区段，上覆于该第一类金属定义区段、该第二类金属定义区段、该第一栅极结构及该隔离结构中的每一者，其中该金属区段及该第一类金属定义区段用以将该第二类金属定义区段电连接至该第二主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的一部分。5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，其中该隔离结构为一第一隔离结构，以及该集成电路结构进一步包括：一第三主动区域，在该第一方向上在该第一主动区域及该第二主动区域之间延伸；以及一第二隔离结构，定位在该第一类金属定义区段与该第三主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的一部分之间，其中该第一类金属定义区段与该第三主动区域的在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间的该部分电隔离。6.一种集成电路结构，其特征在于，包括：一第一电力导轨，在一第一方向上在一半导体基板中延伸；一第一主动区域及一第二主动区域，在该第一方向上在该半导体基板中延伸；
一第一栅极结构及一第二栅极结构，在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构中的每一者上覆于该第一主动区域及该第二主动区域中的每一者；一第一类金属定义区段，在该第二方向上在该第一栅极结构及该第二栅极结构之间延伸且上覆于该第一主动区域及该第二主动区域中的每一者；以及一第一隔离结构，定位在该第一类金属定义区段与该第一主动...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢麒友，邱奕勋，陈志良，赖知佑，邱上轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：