集成电路结构及集成电路装置制造方法及图纸

一种集成电路结构及集成电路装置，集成电路结构包括：在第一方向上延伸的两个主动区、在第二方向上延伸的两个栅极结构、在第一金属层中在第二方向上延伸的第一金属段、在第二金属层中在第一方向上延伸的第二金属段及第三金属段、及自第三金属段延伸至栅极结构中的一者的栅极通孔结构。栅极结构上覆于主动区，第一金属段上覆于处于栅极结构之间的主动区中的每一者，第二金属段上覆于第一主动区且上覆于且电连接至第一金属段，且第一金属段及第二金属段电连接至第二主动区，与处于栅极结构之间的第一主动区隔离，且在栅极结构外连接至第一主动区。一主动区。一主动区。

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及集成电路装置


[0001]本揭示是关于一种集成电路结构及集成电路装置，特别是具有自对准接触通孔结构的集成电路结构及集成电路装置。

技术介绍

[0002]将集成电路(integrated circuit，IC)微型化的持续趋势已经导致逐渐变小的装置，该些装置消耗更少电力，却比早期技术在较高速度下提供更强功能性。此微型化已经由与越来越严格的规定关联的设计及制造创新来达成。各种电子设计自动化(electronic design automation，EDA)工具是用于在确保IC结构设计及制造规格得到满足的同时产生、修改及验证半导体装置的设计。

技术实现思路

[0003]本揭示的一实施例是一种集成电路结构，包含第一主动区及第二主动区、第一栅极结构及第二栅极结构、第一金属段、第二金属段及第三金属段及栅极通孔结构。第一主动区及第二主动区在一半导体基板中在一第一方向上延伸。第一栅极结构及第二栅极结构在垂直于第一方向的一第二方向上延伸，其中第一栅极结构及第二栅极结构中的每一者上覆于第一主动区及第二主动区中的每一者。第一金属段在一第一金属层中在第二方向上延伸，其中第一金属段上覆于处于第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一主动区及第二主动区中的每一者。第二金属段及第三金属段在一第二金属层中在第一方向上延伸，其中第二金属段上覆于第一主动区及第一金属段中的每一者且电连接至第一金属段。栅极通孔结构自第三金属段延伸至第一栅极结构或第二栅极结构中的一者。第一金属段及第二金属段电连接至第二主动区，与处于第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一主动区的一第一部分电隔离，且电连接至延伸超出第一栅极结构及第二栅极结构的第一主动区的一第二部分。
[0004]本揭示的一实施例是一种集成电路装置，包含多个主动区、多个栅极结构、第一复数个金属段、第二复数个金属段及栅极通孔结构。主动区在一半导体基板中在一第一方向上延伸。栅极结构在垂直于第一方向的一第二方向上延伸，其中栅极结构上覆于主动区。第一复数个金属段在一第一金属层中在第二方向上延伸，其中第一复数个金属段中的一第一金属段上覆于主动区中的第一主动区及第二主动区。第二复数个金属段在一第二金属层中在第一方向上延伸，其中第二复数个金属段中的一第一金属段上覆于第一复数个金属段中的第一金属段及主动区中的第一主动区中的每一者，且电连接至第一复数个金属段中的第一金属段。栅极通孔结构自第二复数个金属段中的一第二金属段延伸至栅极结构中的一第二栅极结构。第一复数个金属段及第二复数个金属段中的每一者的第一金属段电连接至主动区中的第二主动区，与邻近栅极结构中的一第二栅极结构的主动区中的第一主动区的一第一部分电隔离，且电连接至主动区中的第一主动区的一第二部分。
[0005]本揭示的一实施例是一种集成电路结构，包含：一第一主动区域及一第二主动区
域，第一主动区及第二主动区在一半导体基板中在一第一方向上延伸；一第一栅极结构及一第二栅极结构，第一栅极结构及第二栅极结构在垂直于第一方向的一第二方向上延伸，其中第一栅极结构及第二栅极结构中的每一者上覆于第一主动区及第二主动区中的每一者；一第一源极/漏极通孔结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一主动区的一部分上；一第二源极/漏极通孔结构，在远离第一栅极结构及第二栅极结构延伸的第二主动区的一部分上；一第一金属段，第一金属段在一第一金属层中在第二方向上延伸且上覆于第一源极/漏极通孔结构及第二主动区中的每一者；一第二金属段，第二金属段在第一金属层中、上覆于第二源极/漏极通孔结构；一第一通孔结构及一第二通孔结构，第一通孔结构及第二通孔结构上覆于相应的第一金属段及第二金属段；一自对准接触通孔结构，自对准接触通孔结构上覆于第一栅极结构或第二栅极结构中的一者；一第三金属段，第三金属段在一第二金属层中在第一方向上延伸且上覆于第一通孔结构及第二通孔结构中的每一者，由此将第一主动区的部分电连接至第二主动区的部分；及一第四金属段，第四金属段在第二金属层中在第一方向上延伸且在自对准接触通孔结构上。
附图说明
[0006]本揭示的一实施例的态样将在结合附图阅读时自以下详细描述最佳地了解。请注意，根据产业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，各种特征的尺寸可任意地增大或减小。
[0007]图1A及图1B为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的平面图；
[0008]图2A及图2B为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的横截面图；
[0009]图3A～图3C为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的平面图；
[0010]图4为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的平面图的图；
[0011]图5为根据一些实施例IC布局图及对应的IC装置的平面图的图；
[0012]图6为根据一些实施例IC布局图及对应的IC装置的平面图的图；
[0013]图7为根据一些实施例IC布局图及对应的IC装置的平面图的图；
[0014]图8为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的平面图的图；
[0015]图9为根据一些实施例IC布局图及对应的IC结构的平面图的图；
[0016]图10为根据一些实施例制造IC结构的方法的流程图；
[0017]图11为根据一些实施例产生IC布局图的方法的流程图。
[0018]图12为根据一些实施例IC布局产生系统的方块图；
[0019]图13为根据一些实施例IC制造系统及与该IC制造系统相关联的IC制造流程的方块图。
[0020]【符号说明】
[0021]100A:IC布局/结构/IC布局图
[0022]100B:IC布局/结构/IC布局图
[0023]300A:IC布局/结构/IC布局图
[0024]300B:IC布局/结构/IC布局图
[0025]300C:IC布局/结构/IC布局图
[0026]400:IC布局/装置/IC布局图/与非门
[0027]500:IC布局/装置/IC布局图/＝/或非门
[0028]600:IC布局/装置/IC布局图/与或非(AOI)逻辑装置
[0029]700:IC布局/装置/IC布局图/或与非(OAI)逻辑装置
[0030]800:IC布局/装置/IC布局图
[0031]900:IC布局/装置/IC布局图
[0032]1000:方法
[0033]1010:操作
[0034]1020:操作
[0035]1030:操作
[0036]1040:操作
[0037]1050:操作
[0038]1060:操作
[0039]1100:方法
[0040]1110:操作
[0041]1120:操作
[0042]1130:操作
[0043]1140:操作
[0044]1150:操作
[0045]1160:操作
[0046本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构包含：一第一主动区及一第二主动区，该第一主动区及该第二主动区在一半导体基板中在一第一方向上延伸；一第一栅极结构及一第二栅极结构，该第一栅极结构及该第二栅极结构在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构中的每一者上覆于该第一主动区及该第二主动区中的每一者；一第一金属段，该第一金属段在一第一金属层中在该第二方向上延伸，其中该第一金属段上覆于处于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第一主动区及该第二主动区中的每一者；一第二金属段及一第三金属段，该第二金属段及该第三金属段在一第二金属层中在该第一方向上延伸，其中该第二金属段上覆于该第一主动区及该第一金属段中的每一者且电连接至该第一金属段；及一栅极通孔结构，该栅极通孔结构自该第三金属段延伸至该第一栅极结构或该第二栅极结构中的一者，其中该第一金属段及该第二金属段电连接至该第二主动区，与处于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第一主动区的一第一部分电隔离，且电连接至延伸超出该第一栅极结构及该第二栅极结构的该第一主动区的一第二部分。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一金属段经由与该第二主动区直接接触的一源极/漏极通孔结构电连接至该第二主动区。3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第二金属段经由一第一金属层通孔结构、该第一金属层中的一第四金属段及与该第一主动区的该第二部分直接接触的一源极/漏极通孔结构电连接至该第一主动区的该第二部分。4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一栅极结构及该第一主动区经组态为一第一晶体管，该第二栅极结构及该第一主动区经组态为一第二晶体管，且该第一主动区的该第一部分包含该第一晶体管及该第二晶体管的一共用源极/漏极端子。5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构进一步包含：一电力轨道，该电力轨道定位于该半导体基板的一背面中；及一通孔结构，该通孔结构电连接在该电力轨道与该第一主动区的该第一部分之间。6.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一金属段电连接至处于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第二主动区的一部分；其中该集成电路结构进一步包含：一第四金属段，该第四金属段在该第二金属层中在该第一方向上延伸，其中该第四金属段上覆于该第二主动区的该部分及该第一金属段中的每一者且与该第二主动区的该部分及该第一金属段中的每一者电隔离。
7.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构进一步包含：一第三主动区，该第三主动区在该第一主动区与该第二主动区之间延伸，其中该第一金属段及该第二金属段与处于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第三主动区的一第三部分电隔离。8.一种集成电路装置，其特征在于，该集成电路装置包含：复数个主动区，该些主动区在一半导体基板中在一第一方向上延伸；复数个栅极结构，该些栅极结构在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸，其中该些栅极结构上覆于该些主动区；一第一复数个金属段，该第一复数个金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢麒友，陈志良，吴佳典，赖知佑，邱上轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：