存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种存储器件，包括半导体衬底。该存储器件包括在半导体衬底上方的沟道层堆叠件，每个沟道层包括氧化物材料。该存储器件包括与沟道层堆叠件交错的字线结构。该存储器件包括在沟道层堆叠件两侧的源极部件和漏极部件。本发明专利技术的实施例提供了一种存储器件的制造方法。储器件的制造方法。储器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断改善，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成度的提高来自于最小特征尺寸的不断减少，这使得更多的部件可以被集成到给定的区域。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个实施例提供了一种存储器件，包括：半导体衬底；沟道层堆叠件，位于所述半导体衬底上方，每个沟道层均包括导电氧化物材料；字线结构，与所述沟道层堆叠件交错；以及源极部件和漏极部件，位于所述沟道层堆叠件的两侧。
[0004]本专利技术的另一实施例提供了一种存储器件，包括：半导体衬底；以及存储单元，位于所述半导体衬底上方，包括：沟道层堆叠件，每个沟道层均包括金属氧化物；字线结构，包围每个沟道层；和源极金属电极和漏极金属电极，位于所述沟道层堆叠件的两侧。
[0005]本专利技术的又一实施例提供了一种制造存储单元的方法，包括：在衬底上方形成交替的牺牲层和沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：半导体衬底；沟道层堆叠件，位于所述半导体衬底上方，每个沟道层均包括导电氧化物材料；字线结构，与所述沟道层堆叠件交错；以及源极部件和漏极部件，位于所述沟道层堆叠件的两侧。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个沟道层均是N型沟道层，并且所述导电氧化物材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)或它们的组合。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个沟道层均是P型沟道层，并且所述导电氧化物材料包括氧化镍(NiO)、氧化铜(Cu2O)、氧化铝铜(CuAlO2)、氧化镓铜(CuGaO2)、氧化铟铜(CuInO2)、氧化锶铜(SrCu2O2)、氧化锡(SnO)或它们的组合。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述导电氧化物材料是第一导电氧化物材料，以及所述源极部件和所述漏极部件分别包括在接触层上方的金属层，所述接触层包括第二导电氧化物材料。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一导电氧化物材料与所述第二导电氧化物材料相同。6.一种存储器件，包括：半导体衬底；以及存储单元，位于所述半导体衬底上方，包括：沟道层堆叠件，每个沟道层均包括金属氧化物；字线结构，包围每个沟道层；和源极金属电极和漏极金属电极，位于所述沟道层堆叠件的两侧。7.根据权利要求6所述的存储器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋骏，黄家恩，郑雅云，吴忠纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：