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本发明的实施例提供了一种存储器件，包括半导体衬底。该存储器件包括在半导体衬底上方的沟道层堆叠件，每个沟道层包括氧化物材料。该存储器件包括与沟道层堆叠件交错的字线结构。该存储器件包括在沟道层堆叠件两侧的源极部件和漏极部件。本发明的实施例提供了...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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