一种切换电路包括主电路，此主电路包括多个第一晶体管

本实用新型提供一种半导体组件。半导体组件包括基底及设置于基底之上的第一双极接面晶体管。第一双极接面晶体管包括第一基极区、第一射极区及第一集极区。半导体组件还包括设置于基底之上的第二双极接面晶体管，且第二双极接面晶体管包括第二基极区、第二...

一种半导体装置，具有填充氧化物阻挡结构位于半导体装置内的栅极全绕式晶体管结构之间。填充氧化物阻挡结构的使用可以缩短隔开P型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片与N型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片的距离、扩大在P型金属氧化物半导体鳍部结构及...

提供一种微机电系统、微机电系统致动器及微机械臂阵列。该微机械臂阵列包含：在第一水平方向上彼此隔开且沿第二水平方向延伸的多个微机械臂，其中每一微机械臂包含位于每一微机械臂的顶部且在垂直方向向上突出的突起；多个保护膜，每一保护膜封装所述多个...

本实用新型提供一种包括电感器的封装，包括：第一重布线结构；晶粒，设置于第一重布线结构之上；模制材料，环绕晶粒；第二重布线结构，位于晶粒及模制材料之上；以及电感器，包括高导磁合金芯。高导磁合金芯嵌置于模制材料中，且高导磁合金芯包括在垂直方...

本实用新型的一些态样中，公开了一种内存阵列结构。在一些实施例中，所述内存阵列结构包括字阵列。在一些实施例中，字阵列存储N比特字。在一些实施例中，字阵列包括多个第一内存结构以及多个第二内存结构。在一些实施例中，每一第一内存结构包括第一晶体...

本实用新型提供一种半导体结构，包括晶圆、第一重布线路、结构晶粒以及第一模封材料。第一重布线路结构位在晶圆的第一侧。第一重布线路结构的侧壁从晶圆的相应侧壁凹陷。晶粒附接至第一重布线路结构。第一重布线路结构介于晶圆和晶粒之间。第一模封材料围...

本实用新型的实施例提供一种包括上覆于半导体衬底的内连线结构的集成芯片。上部介电结构上覆于内连线结构。微机电系统衬底上覆于上部介电结构。在微机电系统衬底和上部介电结构之间定义出空腔。微机电系统衬底包括在空腔上方的可移动膜。空腔电极设置在上...

本实用新型实施例提供一种制造系统及叉取机器人。本实用新型实施例是关于一种使用一个或多个储存载体来优选在储料器内的储存隔室的使用。储料器包括一个或多个储存塔，每个储存塔包括一个或多个隔板，通过叉取结构的挂勾向外拉，可以将一个或多个隔板从闭...

一种半导体装置结构，包括：介电层，设置在外延源极/漏极区上方；以及导电部件，设置在介电层之中。导电部件包括：金属衬层，包括第一材料；金属填充件，被金属衬层围绕。金属填充件包括具有第一裸片尺寸的第一材料。导电部件还包括：金属盖，设置在金属...

实施例半导体器件可以包括电互连层、电耦合到电互连层的接合焊盘、包括部分地覆盖接合焊盘表面的第一膜和部分地覆盖第一膜的第二膜的堆叠膜结构，在接合焊盘的部分表面上形成在第一膜中的第一孔，形成在第二膜中使得第二孔大于第一孔并且形成在第一孔上方...

一种形成电感器的方法，包括在衬底上形成第一重分布结构，形成位于第一重分布结构上方并且电连接到第一重分布结构的第一导电通孔，在第一导电通孔的顶表面和侧壁上方沉积第一磁性材料，将第一管芯和第二管芯耦接到第一重分布结构，将第一管芯、第二管芯和...

本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法中，形成Sp2碳的隔膜，对隔膜执行处理以改变隔膜的表面性质，并且在处理之后，在隔膜之上形成覆盖层。隔膜之上形成覆盖层。隔膜之上形成覆盖层。

本公开涉及用于

提供了一种用于存储器器件的系统和方法，该存储器器件包括第一存储器阵列、局部输入/输出(LIO)电路和全局输入/输出电路。第一存储器阵列包括存储器单元和局部位线。LIO电路被配置为接收局部位线上的局部位线信号，并基于局部位线信号生成全局位...

一种形成半导体结构的方法，包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法还包括去除蚀刻遮...

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供伪结构，伪结构包括设置在衬底上方的多个沟道层、设置在多个沟道层中的相邻沟道层之间的内部间隔件、以及插入多个沟道层并沿第一方向纵向延伸的栅极结构。形成第一沟槽，...

本公开实施例提供了方法的实施例

实施例包括围绕嵌入式集成电路管芯的裂缝停止器结构及其形成。裂缝停止器结构可以包括由填充层分隔开的多个层。裂缝停止器的层可以包括多个子层，子层中的一些提供粘合、硬度缓冲和用于从裂缝停止器结构的一个层过渡至裂缝停止器结构的另一层的材料梯度。...

本申请提供了半导体封装及其制造方法。一种半导体器件，包括第一第二半导体芯片，第一半导体芯片具有彼此相对的第一表面和第二表面。半导体器件可以包括第二半导体芯片，第二半导体芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面。第二半导体芯片的第三表面可以面...