形成半导体结构的方法技术

一种形成半导体结构的方法，包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法还包括去除蚀刻遮罩，以及将第一晶圆接合到第二晶圆。一晶圆接合到第二晶圆。一晶圆接合到第二晶圆。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法


[0001]本公开实施例是关于一种形成半导体结构的方法，特别是关于一种晶圆修整和接合(wafer trimming and bonding)制程。

技术介绍

[0002]晶圆对晶圆接合(Wafer
‑
to
‑
wafer bonding)常用于集成电路的封装。举例来说，具有贯穿装置晶圆的基板的贯通孔(through
‑
vias)的装置晶圆可以接合到载体晶圆或另一装置晶圆。然后可以减薄装置晶圆，并可以在基板的背面形成电连接件。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，其中蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。所述方法包括进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，其中边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法包括去除蚀刻遮罩。所述方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。
[0004]本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一晶圆之上施加光阻剂，其中第一晶圆具有圆形俯视形状，且第一晶圆包括半导体基板和位于半导体基板之上的至少一介电层。所述方法包括进行微影制程以图案化光阻剂，使得光阻剂覆盖第一晶圆的圆形内部部分。所述方法包括进行第一蚀刻制程以蚀刻位于第一晶圆的边缘部分中的至少一介电层，使半导体基板的第一顶面暴露。所述方法包括进行第二蚀刻制程以蚀刻位于第一晶圆的边缘部分中的半导体基板，使半导体基板凹陷以具有低于第一顶面的第二顶面。所述方法包括去除光阻剂。
[0005]本公开实施例提供一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一半导体基板之上形成多个第一介电层以形成第一晶圆。所述方法包括蚀刻第一晶圆的第一边缘部分以蚀刻穿过所述多个第一介电层并使第一半导体基板凹陷，其中第一晶圆的第一边缘部分具有环形。所述方法包括将第二晶圆接合到第一晶圆。
附图说明
[0006]根据以下的详细说明并配合所附图式以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图式中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。
[0007]图1示出根据一些实施例的一载体的剖视图。
[0008]图2示出根据一些实施例的一装置晶圆的剖视图。
[0009]图3至图6示出根据一些实施例的一晶圆边缘修整制程的中间阶段。
[0010]图7至图13示出根据一些实施例的一晶圆接合制程的中间阶段，其中晶圆被预修整(pre
‑
trimmed)。
[0011]图14A和图14B分别示出根据一些实施例的一晶圆级封装的剖视图和俯视图。
[0012]图15示出根据一些实施例的将晶圆级封装切割成多个晶粒级封装的剖视图。
[0013]图16示出使用机械修整制程修整后的一晶圆的俯视图。
[0014]图17至图22示出根据一些实施例的一晶圆接合制程的中间阶段，其中晶圆被后修整(post
‑
trimmed)。
[0015]图23示出根据一些实施例的一晶圆接合及修整制程的制程流程。
[0016]其中，附图标记说明如下：
[0017]20：晶圆/载体晶圆
[0018]20C：内部部分
[0019]20E：边缘部分
[0020]22：基板
[0021]22C：内部部分
[0022]22E：边缘部分
[0023]22TS：顶面
[0024]24：接合层
[0025]24C：内部部分
[0026]24E：边缘部分
[0027]25：对准标记
[0028]30，30
‑
1，30
‑
2，30
‑
n：晶圆/装置晶圆
[0029]30C：内部部分
[0030]30E：边缘部分
[0031]32，32
‑
1，32
‑
2，32
‑
n：基板
[0032]32C：内部部分
[0033]32E：边缘部分
[0034]32TS：顶面
[0035]34，34
‑
1，34
‑
2，34
‑
n：集成电路装置
[0036]35，35
‑
1，35
‑
2：基板穿孔/贯通孔
[0037]36：层间电介质
[0038]37：隔离层
[0039]38：接触栓塞
[0040]40，40
‑
1，40
‑
2：互连结构
[0041]42：金属线
[0042]44：通孔
[0043]46：介电层
[0044]50：金属垫
[0045]52：介电层/钝化层
[0046]54：接合层
[0047]55，55
‑
1，55
‑
2：对准标记
[0048]56，56
‑
1，56
‑
2，56
‑
n：接合垫
[0049]58，58
‑
1，58
‑
2，58
‑
n：介电层
[0050]58C：内部部分
[0051]58E：边缘部分
[0052]62：蚀刻遮罩
[0053]64：微影遮罩
[0054]64A：中心圆形部分
[0055]64B：环形外侧部分
[0056]66：曝光制程
[0057]68：边缘修整制程/蚀刻制程
[0058]70：蚀刻制程
[0059]72：凹槽
[0060]74：虚线/顶面/表面
[0061]76：虚线/顶面/表面
[0062]78
‑
1，78
‑
2：背面互连结构
[0063]80
‑
1，80
‑
2：重分布线
[0064]82
‑
1，82
‑
2：介电层
[0065]84
‑
1，84
‑
2：接合垫
[0066]86：晶圆堆叠
[0067]86
’
：封装
[0068]88：电连接件
[0069]90：封装构件
[0070]92：焊线
[0071]94：外侧部分
[0072]95：隆起
[0073]98：同心圆痕迹
[0074]102：保护层
[0075]104：蚀刻制程
[0076]200：制程流程
[0077]202，204，206，208，210，212，214，21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在一第一晶圆之上形成一蚀刻遮罩，其中该蚀刻遮罩覆盖该第一晶圆的一内部部分；进行一晶圆边缘修整制程以修整该第一晶圆的一边缘部分，该蚀刻遮罩保护该第一晶圆的该内部部分不被蚀刻，其中该边缘部分形成环绕该内部部分的一完整的环；去除该蚀刻遮罩；以及将该第一晶圆接合到一第二晶圆。2.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中该第一晶圆包括一半导体基板和位于该半导体基板之上的多个介电层，且其中在该晶圆边缘修整制程中，该些介电层被蚀刻穿过，且该半导体基板的一顶面部分被蚀刻。3.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面是平坦的。4.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面包括一平坦内侧部分和在该平坦内侧部分的一外侧的一凸起部分。5.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中在该晶圆边缘修整制程之后，直接位于该顶面部分的该半导体基板的一下部具有一顶面，且该顶面包括一平坦内侧部分和在该平坦内侧部分的一外侧的一向下弯曲部分。6.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中该晶圆边缘修整制程是在将该第一晶圆接合到该第二晶圆之前进行。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟民，林瑀宏，戴世芃，余国宠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：