半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具有填充氧化物阻挡结构位于半导体装置内的栅极全绕式晶体管结构之间。填充氧化物阻挡结构的使用可以缩短隔开P型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片与N型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片的距离、扩大在P型金属氧化物半导体鳍部结构及N型金属氧化物半导体结构的纳米通道周围形成的栅极结构的功函数金属的可用性以及通过降低栅极全绕式晶体管的米勒电容值来改善栅极全绕式晶体管的效能。再者，填充氧化物阻挡结构可以使P型金属氧化物半导体结构及N型金属氧化物半导体结构相结合，形成一集成电路，如逆变器。如逆变器。如逆变器。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本技术涉及一种半导体技术，尤其涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]随着半导体装置制造的进步及技术工艺节点的尺寸降低，晶体管会受到短通道效应(short channel effect,SCE)的影响，例如热载子劣化、势垒降低及量子局限以及其他示例。另外，当晶体管在更小的技术节点上缩减栅极长度时，源极/漏极(S/D)电子隧穿就会增加，因而增加了晶体管的截止电流(当晶体管处于截止状态时，流经晶体管通道的电流)。硅(Si)/硅锗(SiGe)纳米结构晶体管(如纳米线、纳米片及栅极全绕式(GAA)装置)是在较小的技术节点上克服短通道效应的潜在备选者。相对于其他类型的晶体管而言，纳米结构晶体管是一种高效结构，它会降低短通道效应(SCE)及增强载子迁移率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提出一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。
[0004]在一些实施例中，提供一种半导体装置，包括一P型金属氧化物半导体纳米结构晶体管，包括：第一多个纳米结构通道，位于一半导体基底上，其中第一多个纳米结构通道排置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于：一P型金属氧化物半导体纳米结构晶体管，包括：第一多个纳米结构通道，位于一半导体基底上，其中所述第一多个纳米结构通道排置于垂直该半导体基底的方向上；以及一第一栅极结构，包围所述第一多个纳米结构通道中的每一个；一N型金属氧化物半导体纳米结构晶体管，包括：第二多个纳米结构通道，位于该半导体基底上，其中所述第二多个纳米结构通道排置于垂直该半导体基底的方向上；以及一第二栅极结构，包围所述第二多个纳米结构通道中的每一个；一填充氧化物阻挡结构，位于所述第一多个纳米结构通道及与所述第二多个纳米结构通道之间，其中该填充氧化物阻挡结构包括以一介电材料作为衬层的一结晶二氧化硅材料。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：一高k值介电区，位于该填充氧化物阻挡结构上方。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该高k值介电区包括：一倒锥形部，延伸于该填充氧化物阻挡结构的一顶部内。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该填充氧化物阻挡结构包括：一深度，延伸于该第一栅极结构的一下表面下方，其中延伸于该第一栅极结构的该下表面下方的该深度在3纳米至20纳米的范围。5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该填充氧化物阻挡结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正伟，沙哈吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：