相变装置包含具有上表面的基材。加热器结构设在基材上。加热器结构具有在加热器结构的相对边上的第一侧壁与第二侧壁。相变元件设在加热器结构上。相变元件包含三连接部。第一部设在加热器结构上。第二部设在加热器结构的第一侧壁上。第三部设在邻近加热器...

本公开的各种实施例针对包括平面透镜的相机模组及其形成方法。与其他类型的透镜相比，平面透镜具有减小的厚度，由此相机模组可以具有较小的尺寸，并且在并有相机模组的手机等上可以省略相机凸块或减小相机凸块的尺寸。平面透镜被配置为将可见光聚集成白光...

提供了一种电子器件及其制造方法。该电子器件包括上电子结构、上连接结构、第一金属层、下电子结构、下连接结构和第二金属层。第一金属层将上电子结构电连接到上连接结构。第二金属层将下电子结构电连接到下连接结构。上连接结构和下连接结构接合在一起。

本申请公开了制造光掩模的方法。在一种制造衰减相移掩模的方法中，在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案。该掩模基板包括透明衬底、透明衬底上的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的相移材料层、相移材料层上的硬掩模层、以及硬掩模层上的中间层。通过使用光致抗蚀剂...

一种晶片封装组件和测试系统，晶片封装组件包括半导体基板，半导体基板包括多个晶体管。第一结构安置在该半导体基板的第一侧之上。该第一结构含有多个第一金属化组件。载体基板安置在该第一结构之上。该第一结构定位于该载体基板与该半导体基板之间。一或...

本技术实施例涉及一种半导体封装包含：布线结构；第一裸片及第二裸片，其放置于所述布线结构上方；第一接点构件阵列，其沿着第一方向放置且将所述第一裸片电耦合到所述布线结构；及第二接点构件阵列，其沿着所述第一方向放置且将所述第二裸片电耦合到所述...

本公开涉及无体积氟掺入方法。一种方法包括：去除虚设栅极堆叠，以在栅极间隔件之间形成沟槽；沉积延伸到所述沟槽中的栅极电介质；以及对所述栅极电介质执行第一处理工艺。所述第一处理工艺是使用含氟气体来执行的。执行第一驱入工艺以将所述含氟气体中的...

在实施例中，管芯结构包括：第一集成电路管芯，包括半导体衬底和第一衬底贯通孔；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯周围，间隙填充电介质的表面与半导体衬底的无源表面以及与第一衬底贯通孔的表面基本上共面；介电层，位于间隙填充电介质的表面和半导...

提供了一种半导体结构及其形成方法。从第一衬底形成第一半导体管芯，第一半导体管芯中的每一者包括具有第一电介质材料的互连结构。对第一半导体管芯中的每一者执行第一减薄操作。第二半导体管芯由第二衬底形成。第一半导体管芯接合到第三衬底。第一半导体...

提供了半导体结构及其制造方法。一种示例性方法包括在衬底上沉积第一导电材料层，图案化第一导电材料以在衬底上方形成第一导体板，在第一导体板上形成第一高K介电层，在第一高K介电层上形成第二高K介电层，在第二高K介电层上形成第三高K介电层，并且...

一种制作半导体元件的方法包含以下步骤。形成鳍片于基材上。形成栅极横跨鳍片。形成层间介电层以覆盖栅极。蚀刻层间介电层以于层间介电层中形成开口，其中栅极透过开口暴露。使用无氟前驱物来执行化学气相沉积，以于开口中形成栅极接触，其中栅极接触包括钨。

实施例是封装件，包括：封装衬底；封装组件，接合至封装衬底，封装组件包括：中介层；光学管芯，接合至中介层，光学管芯包括光学耦合器；以及集成电路管芯，接合至与光学管芯相邻的中介层；透镜适配器，用第一光学胶粘合至光学管芯；反射镜，用第二光学胶...

根据本公开的实施例，一种半导体器件包括包含第一接合层的第一管芯和包括第二混合接合层的第二管芯。第一接合层包括第一介电层和嵌入第一介电层的第一金属线圈。第二接合层包括第二介电层和嵌入第二介电层的第二金属线圈。第二混合接合层接合至第一混合接...

本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。本公开的各种实施例针对包括第一芯片和第二芯片的图像传感器。第一芯片包括第一衬底、设置在第一衬底中的多个光电检测器、设置在该第一衬底的前侧上的第一互连结构以及设置在第一互连结构上的第一接合结构。第...

本发明提供一种制造半导体装置的方法，针对标准胞元库产生第一效能数据库，包括：针对包括多个闸的每一标准胞元将闸分类成群组，包括：搜寻闸之中的匹配闸；将对应匹配闸分组成对应的多个成员闸；以及(针对闸中的不匹配闸)将不匹配闸分组至对应的单成员...

一种半导体装置，包括垂直配置在第一底鳍结构上方的第一组半导体层和垂直配置在第二底鳍结构上方的第二组半导体层，设置在基板上方的隔离绝缘层，包括设置在第一组半导体层和第二组半导体层之间的介电层的壁鳍，以及栅极结构。栅极结构包括环绕第一组半导...

本实用新型提供一种半导体装置。根据本公开的一种示例性半导体装置包括设置在一基底上方并沿一第一方向耦合到一源极/漏极部件的多个通道构件、环绕所述通道构件的各个通道构件的一栅极结构、以及邻近于所述源极/漏极部件设置且沿着大致垂直于所述第一方...

一种鳍式场效晶体管半导体装置的形成方法，包含沉积导电材料横跨于相邻多个鳍片的每一者上；沉积牺牲遮罩于导电材料上；以牺牲遮罩图案化导电材料，以形成多个导电材料区段；沉积牺牲层于牺牲遮罩上，以及图案化牺牲层。牺牲层图案化的部分是残留于牺牲遮...

一种半导体晶粒组件包括：设置于底部垂直阶层处的第一底部晶粒及第二底部晶粒；设置于顶部垂直阶层处并接合至第一底部晶粒的第一顶部晶粒，顶部垂直阶层在垂直方向上高于底部垂直阶层；设置于顶部垂直阶层处并接合至第二底部晶粒的第二顶部晶粒；及设置于...

一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、热硅衬底以及包封体。第二半导体晶粒设置于第一半导体晶粒上且电性连接至第一半导体晶粒。热硅衬底设置于第一半导体晶粒上，其中热硅衬底与第二半导体晶粒间隔开。包封体设置于第一半...