【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种晶片封装组件和测试系统。
技术介绍
1、半导体集成电路(semiconductor integrated circuit，ic)工业已经历指数增长。ic材料及设计中的技术进步已产生每一世代具有相较于先前世代的较小及较复杂电路的ic的世代。在ic进化的过程中，功能密度(亦即，每晶片面积互连装置的数目)已大体上增加，而几何形状大小(亦即，可使用制造工艺创造的最小组件(或接线)已减小。此按比例缩小工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。
2、然而，在按比例缩小工艺继续时，该按比例缩小工艺已引起某些制造挑战。例如，可作为除错工艺的一部分而测试已经历错误或其他效能问题的ic晶片以识别错误或效能问题的来源。然而，因为ic晶片是在愈来愈小的技术节点下制造，所以ic晶片的除错可变得日益困难。通常，ic晶片上的现有电路组件(例如，现有金属化组件)可阻挡或以其他方式干扰除错工艺。因此，尽管现有ic晶片除错工艺已大体上适用于所述现有ic晶片除错工艺的预期目的，但所述现有ic晶片除错工艺尚未在每一方面完全令人满意。
技术实现思路
1、本揭露的一实施例为晶片封装组件。晶片封装组件包括半导体基板，多个晶体管形成在半导体基板中。第一结构安置在半导体基板的第一侧之上。第一结构含有多个第一金属化组件。载体基板安置在第一结构之上。第一结构定位于载体基板与半导体基板之间。一或多个开口延伸穿过载体基板且使第一结构的一或多个区域暴露于第一侧。第二结构安置在与第一侧相对的半导体基板的第二
2、本揭露的一实施例为测试系统。测试系统包括集成电路(ic)封装组件及信号侦测工具。ic封装组件包括半导体基板，半导体基板含有电路。ic封装组件包括互连结构，互连结构安置在半导体基板的第一侧之上。互连结构包括多个互连金属层。金属层各自包括多个金属接线。ic封装组件包括载体基板，载体基板至少部分通过互连结构接合至半导体基板。一或多个开口自第一侧延伸穿过载体基板且使金属接线中的一或多个暴露。ic封装组件包括电源输送网络(pdn)结构，电源输送网络结构安置在半导体基板的第二侧之上。信号侦测工具置放在ic封装组件的第一侧之上。
3、本揭露的一实施例为晶片封装组件，包含半导体基板，包含多个晶体管。互连结构安置在半导体基板的前侧，互连结构包含第一金属接线和第二金属接线，其中第二金属接线的水平位置高于第一金属接线的水平位置。载体基板安置在互连结构之上，其中载体基板包含第一开口和第二开口，第一开口暴露第一金属接线，且第二开口暴露第二金属接线。电源输送网络结构安置在半导体基板的背侧。
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1.一种晶片封装组件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的晶片封装组件，其特征在于，进一步包含一接合层，该接合层接合在该第一结构与该载体基板之间，其中该接合层含有一介电材料。
3.如权利要求2所述的晶片封装组件，其特征在于，其中该一或多个开口各自延伸穿过该接合层。
4.如权利要求2所述的晶片封装组件，其特征在于，进一步包含一导电层，该导电层部分地安置在该一或多个开口中，其中该导电层的部分安置在该载体基板的上表面及侧表面上且安置在该接合层的上表面上。
5.如权利要求1所述的晶片封装组件，其特征在于，其中：
6.如权利要求1所述的晶片封装组件，其特征在于，进一步包含一印刷电路板基板，该印刷电路板基板安置在该第二结构之上，其中该第二结构定位于该印刷电路板基板与该半导体基板之间。
7.如权利要求1所述的晶片封装组件，其特征在于，其中所述多个第二金属化组件为一电源输送网络的组件。
8.一种测试系统，其特征在于，包含：
9.如权利要求8所述的测试系统，其特征在于，其中该信号侦测工具包括一电子
10.一种晶片封装组件，其特征在于，包含：
...【技术特征摘要】
1.一种晶片封装组件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的晶片封装组件，其特征在于，进一步包含一接合层，该接合层接合在该第一结构与该载体基板之间，其中该接合层含有一介电材料。
3.如权利要求2所述的晶片封装组件，其特征在于，其中该一或多个开口各自延伸穿过该接合层。
4.如权利要求2所述的晶片封装组件，其特征在于，进一步包含一导电层，该导电层部分地安置在该一或多个开口中，其中该导电层的部分安置在该载体基板的上表面及侧表面上且安置在该接合层的上表面上。
5.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘高志，许文敏，邱炫融，林裕庭，林家弘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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