半导体封装制造技术

本技术实施例涉及一种半导体封装包含：布线结构；第一裸片及第二裸片，其放置于所述布线结构上方；第一接点构件阵列，其沿着第一方向放置且将所述第一裸片电耦合到所述布线结构；及第二接点构件阵列，其沿着所述第一方向放置且将所述第二裸片电耦合到所述布线结构。所述布线结构包含多条金属线且所述多条金属线中的每一者电连接所述第一接点构件阵列中的一者及所述第二接点构件阵列中的一者。所述多条金属线中的每一者包括水平平面上的至少两个90度转向。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及降低半导体封装串扰的结构。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)产业已经历指数增长。ic材料及设计的技术进展已产生数代ic，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在ic演进进程中，功能密度(即，每芯片面积的互连装置的数目)已大体上增加而几何大小(即，可使用制造过程形成的最小组件(或线))已减小。此按比例缩小过程通常通过提高生产效率且降低相关联成本而提供益处。此按比例缩小也已增加处理及制造ic的复杂性。

2、由于半导体装置的微型化尺度，多于一个ic芯片可整合到半导体封装中。在一些例子中，所整合ic芯片之间的芯片到芯片通讯可经由中介层或重布层(rdl)结构提供。芯片到芯片通讯不仅涉及载送逻辑讯号的导电构件，而且还涉及载送输入/输出(i/o)讯号的导电构件。虽然半导体封装中的现有芯片到芯片通讯大体上足以用于其预期目的，但并非在全部方面令人满意。

技术实现思路

1、本技术实施例涉及一种半导体封装，其包括：布线结构；第一裸片及第二裸片，其放置于所述布线结构上方；第一接点构件阵列，其沿着第一方向放置且将所述第一裸片电耦合到所述布线结构；及第二接点构件阵列，其沿着所述第一方向放置且将所述第二裸片电耦合到所述布线结构，其中所述布线结构包括多条金属线且所述多条金属线中的每一者电连接所述第一接点构件阵列中的一者及所述第二接点构件阵列中的一者，其中所述多条金属线中的每一者包括水平平面上的至少两个90度转向。

2、本技术实施例涉及一种封装结构，其包括：布线结构，其包括：顶面，及第一金属层，其邻近所述顶面；及第一裸片及第二裸片，其并排放置于所述布线结构的所述顶面上方，其中所述第一金属层包括与第一多条接地线交错的第一多条讯号线。

3、本技术实施例涉及一种形成结构的方法，其包括：接收包括多个接点通路及金属线的工件；在所述工件上方沉积电介质层；在所述电介质层中图案化线沟槽；在所述线沟槽中沉积金属填充层以形成金属线；形成放置于所述金属线的第一端正上方的第一接点构件；及形成放置于所述金属线的第二端正上方的第二接点构件，其中所述金属线包括水平平面上的至少两个90度转向。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接点构件阵列沿着所述第一方向与所述第二接点构件阵列对准。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接点构件阵列沿着所述第一方向与所述第二接点构件阵列偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，

6.一种半导体封装，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一多条接地线耦合到接地电压。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，

9.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述布线结构包括重布层RDL结构。

10.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述布线结构包括中介层。

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接点构件阵列沿着所述第一方向与所述第二接点构件阵列对准。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接点构件阵列沿着所述第一方向与所述第二接点构件阵列偏移。

5.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨淑君，陈威志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：