【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是关于半导体元件的制作方法，更精确是关于半导体的互连结构的制作方法。
技术介绍
1、根据摩尔定律(moore's law)的历史趋势，随着集成电路(integrated circuit,ic)的尺度进展至深亚纳米状态(deep sub-nanometer regime)，高效能、高密度的集成电路中的晶体管数量是数以千万计的。因此需要缩小对应的集成电路的互连结构。特别的是，钨(w)已经被使用于相对更靠近集成电路的各个晶体管的互连结构(例如接触插塞、通孔及其他互连线等)。这一部分是因为铜(cu)可能“污染(poison)”晶体管，铜一般用于相对更远离晶体管的互连结构的另一个主要部分。为了简洁起见，这样的钨互连结构在此统称为“钨接触”。
2、这样的钨接触通常使用基于氟(f-based)的化学气相沉积(chemical vapordeposition,cvd)技术且由基于钨的材料(例如钨原子)形成，并覆盖一般由硅形成的晶体管的主动特征。一般来说，基于氟的cvd技术不可避免的导致氟原子攻击由硅形成的主动特征。在这方面，一或多个阻障层由基于钛的材料或/和基于钽的材料或合金(例如钛、钽、氮化钛、氮化钽)形成，此阻障层作为氟化物阻障层，并在钨接触形成之前形成，覆盖主动特征。
3、如上所述，包含钨接触的互连结构根据摩尔定律缩小。然而，这样的氟化物阻障层因而无法缩小。因此，现有的钨接触及其形成方法并不完全令人满意。
技术实现思路
1、根据本揭露的一态样，一种制作
2、根据本揭露的一态样，一种制作半导体元件的方法包含以下步骤。形成鳍片于半导体基材上。形成栅极横跨鳍片。形成多个源极/漏极特征于栅极的相对侧。沉积第一层间介电层以覆盖栅极以及源极/漏极特征。在沉积第一层间介电层之后，于第一层间介电层上沉积第二层间介电层。图案化第一层间介电层以及第二层间介电层以形成穿过第一层间介电层以及第二层间介电层的开口，其中源极/漏极特征的其中之一透过开口暴露。使用无氟前驱物来执行化学气相沉积，以于开口中形成源极/漏极接触，源极/漏极接触包括钨。
3、根据本揭露的一态样，一种制作半导体元件的方法包含以下步骤。形成鳍片于半导体基材上。形成伪栅极横跨鳍片。形成多个源极/漏极特征于伪栅极的相对侧。形成第一层间介电层以覆盖伪栅极以及源极/漏极特征。平坦化第一层间介电层以暴露伪栅极。移除伪栅极以于第一层间介电层中形成栅极沟槽。于栅极沟槽中形成金属栅极。于第一层间介电层上形成第二层间介电层。执行蚀刻制程以形成穿过第一层间介电层的第一开口以及穿过第一层间介电层及第二层间介电层的第二开口，其中第一开口暴露金属栅极，且第二开口暴露源极/漏极特征的其中之一。使用无氟前驱物于第一开口及第二开口中沉积钨金属。抛光钨金属使得钨金属及第二层间介电层共平面。
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1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用该无氟前驱物来执行该化学气相沉积包含：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使该含钨前驱物分解成多个钨原子还包含分解成CO以及H2CO*。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该无氟前驱物是六羰基钨。
6.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，图案化该第一层间介电层以及该第二层间介电层以形成穿过该第一层间介电层以及该第二层间介电层的该开口包含：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，图案化该第一层间介电层以及该第二层间介电层以形成穿过该第一层间介电层以及该第二层间介电层的该开口包含：
9.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包含：
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用该无氟前驱物来执行该化学气相沉积包含：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使该含钨前驱物分解成多个钨原子还包含分解成co以及h2co*。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该无氟前驱物是六羰基钨。
6.一种制作半导体元件的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宏颖，吴正一，凃弘恩，程仲良，朱立轩，萧翔隆，宋慧琳，洪思远，罗盛永，邱丞伟，谢志威，李锦思，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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