【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及管芯结构及其形成方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高归因于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成至给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯的封装技术的需求。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例提供了一种管芯结构，该管芯结构包括：第一集成电路管芯，包括半导体衬底和第一衬底贯通孔；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯周围，间隙填充电介质的表面与半导体衬底的无源表面以及与第一衬底贯通孔的表面基本上共面；介电层，位于间隙填充电介质的表面和半导体衬底的无源表面上；第一接合焊盘，延伸穿过介电层以接触第一衬底贯通孔的表面，第一接合焊盘的宽度小于第一衬底贯通孔的宽度；以及第二集成电路管芯，包括接合至第一接合焊盘的管芯连接件。
2、本专利技术的另一些实施例提供了一种管芯结构，该管芯结构包括：第一集成电路管芯，包括半导体衬底和衬底贯通孔，衬底贯通孔从半导体衬底的表面突出；以及第一介电部件，位于第一集成电路管芯周围，第一介电部件包括：第一氮化物衬垫，位于第一集成电路管芯的侧壁上；第一氧化物衬垫，位于第一氮化物衬垫上；第二氮化物衬垫，位于第一氧化物衬垫上，第二氮化物衬垫的顶表面设置在半导体衬底的表面之下；以及第一氧化物填充物，位于第二氮化物衬垫上，其中，第一氧化物填充物的顶表面、第一氧化物衬垫的顶表面和
3、本专利技术的又一些实施例提供了一种形成管芯结构的方法，该方法包括：在第一集成电路管芯周围形成间隙填充电介质，第一集成电路管芯包括半导体衬底和衬底贯通孔；平坦化间隙填充电介质，直到间隙填充电介质、半导体衬底和衬底贯通孔具有基本上共面的顶表面；在间隙填充电介质、半导体衬底和衬底贯通孔的顶表面上沉积第一介电层；在第一介电层中形成接合焊盘，接合焊盘延伸穿过第一介电层以接触衬底贯通孔的顶表面；以及将第二集成电路管芯接合至接合焊盘和第一介电层。
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1.一种管芯结构，包括：
2.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘以一对一对应方式接触所述第一衬底贯通孔。
3.根据权利要求1所述的管芯结构，还包括：
4.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘的所述宽度大于所述第一衬底贯通孔的所述宽度的一半。
5.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘的所述宽度小于所述第一衬底贯通孔的所述宽度的一半。
6.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一集成电路管芯还包括第二衬底贯通孔，所述管芯结构还包括：
7.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述间隙填充电介质包括氮化物-氧化物-氮化物-氧化物结构。
8.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述间隙填充电介质包括环氧树脂材料。
9.一种管芯结构，包括：
10.一种形成管芯结构的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种管芯结构，包括：
2.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘以一对一对应方式接触所述第一衬底贯通孔。
3.根据权利要求1所述的管芯结构，还包括：
4.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘的所述宽度大于所述第一衬底贯通孔的所述宽度的一半。
5.根据权利要求1所述的管芯结构，其中，所述第一接合焊盘的所述宽度小于所述第一衬底贯通孔的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：许家豪，洪建玮，丁国强，叶松峯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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