本揭露阐述一种具有导电板的半导体结构。所述结构包括：栅极结构，设置于衬底的扩散区上；保护层，与扩散区接触且覆盖栅极结构的侧壁与栅极结构的顶表面的一部分；以及第一绝缘层，与栅极结构及保护层接触。所述结构更包括：导电板，与第一绝缘层接触，其...

提供了一种半导体装置，包括由介电材料的多个侧壁所划定的凹洞；一导电结构，接壤(bordering)于该凹洞的底部；一层或多层材料，于该凹洞中且直接位于该导电结构上及直接位于该介电材料的该侧壁上，其中所述一层或多层材料包括阻障金属；及导电...

一种集成电路包括一组的多个主动区域

本发明的各种实施例涉及压电装置

本公开的各种实施例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中像素传感器跨越多个集成电路(IC)芯片。光电检测器和第一晶体管在第一IC芯片处形成像素传感器的第一部分。多个第二晶体管在第二IC芯片处形成像素传感器的第二部分。通...

本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括通道区、第一栅极介电层以及栅极电极层。第一栅极介电层设置于通道区上方；栅极电极层设置于第一栅极介电层上方，其中第一栅极介电层包括第一部分及第二部分，而且第二部分包括稀土元素并且第一部分不包括所...

一种半导体装置，包括一栅极堆叠，具有一金属栅极层。半导体装置也包括侧壁间隔件，设置于栅极堆叠的两相对侧壁上。半导体装置还包括一U型硬式掩模层，设置于侧壁间隔件上及栅极堆叠上。U型硬式掩模层的顶部的第一宽度大于U型硬式掩模层的底部的一第二...

本实用新型涉及一种集成芯片，其特征在于包括半导体衬底、多个半导体器件、第一介电结构和第二介电结构。所述多个半导体器件，设置在所述半导体衬底上。所述第一介电结构，在所述半导体衬底的第一侧的上方。所述第二介电结构，在所述半导体衬底的第二侧的...

器件包括第一半导体层、介电层、第二半导体层和栅极结构。第一半导体层位于衬底上方。第一半导体层包括第一沟道区域和位于第一沟道区域的相对侧上的第一源极/漏极区域。介电层位于第一半导体层上方。第二半导体层位于介电层上方。第二半导体层包括第二沟...

一种半导体装置，提供介电区域包括在纳米结构晶体管之中的半导体装置。介电区域，可以对应于气隙，可以在沿着金属栅极结构的侧壁的介电间隔物层之间。形成介电区域的技术可以包括在制造纳米结构晶体管的期间在介电间隔物层之间使用暂时的间隔物层。暂时的...

一种半导体装置结构，包含基底；外延源极/漏极区，设置于基底上方；介电层位于外延源极/漏极区上方；导电部件延伸通过介电层。导电部件电性耦接至外延源极/漏极区。介电层形成围绕导电部件的侧壁；保护衬垫沿侧壁及导电部件延伸并物理接触侧壁及导电部...

一种集成半导体封装系统及半导体装置封装的方法，集成半导体封装系统包括：第一湿式清洁工具，用以在框架上执行第一湿式清洁工艺，其中多个顶部晶粒在框架上设置；第二湿式清洁工具，用以在晶圆上执行第二湿式清洁工艺，其中分别对应于顶部晶粒的多个底部...

本揭露描述一种半导体装置结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包含装置及设置在装置上方的第一介电层。气隙位于第一介电层中。结构进一步包含设置在第一介电层中的导电特征，且第一介电层包含设置在气隙与导电特征的第一侧之间的第一部分及邻近导电特...

本揭露揭示一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括封装基板。半导体封装包括半导体晶粒，半导体晶粒具有附接至封装基板的第一表面及第二表面。半导体封装包括附接至半导体晶粒的第二表面的散热器。半导体封装包括介于散热器与半导体晶粒之间的散热层...

本申请的实施例公开了一种光学器件及其制造方法，包括提供两个不同的光路：第一光路，包括第一波导芯和与第一波导芯相邻的第一包层；以及第二光路，包括第二波导芯和与第二波导芯相邻的第二包层。第一波导芯的热光系数(TOC)和第一包层的TOC具有相...

半导体结构包括衬底和嵌入衬底中的pn结结构的堆叠件。半导体结构包括从衬底突出的半导体鳍。半导体结构包括设置在半导体鳍中的源极/漏极结构对。半导体结构包括位于半导体鳍的沟道区域上方并且介于源极/漏极结构对之间的栅极结构。本发明的实施例还提...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(具有混合的CMOS结构)包含第一单元区域至第四单元区域。在相对于例如Z轴上，第一单元区域及第二单元区域的每一者包含一对纳米片的第一堆叠及第二堆叠。第一堆叠的纳米片具有第一掺质类型，例如N型。第二堆...

根据本申请的实施例，提供了相变器件结构及其形成方法。根据本公开的相变器件结构包括设置在蚀刻停止层(ESL)上方的第一电极和第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的第一介电层；设置在第一电极、第一介电层以及第二电极上方的相变材料层；设置在...

在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片

本公开涉及栅极全环绕场效应晶体管器件。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底之上形成半导体鳍结构，其中，半导体鳍结构中的每一个包括在半导体鳍之上的层堆叠，层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在半导体鳍结构的侧壁和上表面之上形...