一种记忆体装置、感测放大器系统以及记忆体阵列操作方法，记忆体装置包括具有连接至区域位元线及字元线的记忆体单元的记忆体组。第一区域数据闩锁连接至区域位元线，并具有用以接收第一区域时脉信号的启用端子。字元线闩锁用以闩锁字元线选择信号，并具有...

本申请提供一种记忆体装置，包含多个字线(WL)。记忆体装置包括多个驱动器，每个驱动器用以控制多个WL中的对应一个，每个驱动器包含具有第一导电类型的第一晶体管及具有第二导电类型的第二晶体管。驱动器中的第一驱动器的第一晶体管形成在基板的第一...

揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器包括多个导电层和设置在这些导电层的相邻导电层之间的绝缘层。半导体装置包括设置在至少一个主动深沟槽电容器的相对侧上的多个虚拟深沟槽电容器，这些虚拟...

一种半导体晶粒封装包括在第一半导体晶粒的组件区上的高介电常数介电层。第一半导体晶粒以晶片叠晶片(wafer on wafer，WOW)型配置方式接合在一起。硅穿孔结构贯穿组件区。高介电常数介电层具有本质负电荷极性，以提供用于调整组件区内...

器件包括：半导体纳米结构的堆叠件；栅极结构，包裹半导体纳米结构，栅极结构在第一方向上延伸；源极/漏极区域，在横向于第一方向的第二方向上邻接栅极结构和堆叠件；接触结构，位于源极/漏极区域上；背侧导电迹线，位于堆叠件下面，背侧导电迹线在第二...

一种相变化材料装置及相变化材料射频开关，相变化材料装置的改良结构用以有助于防止热散逸。在一个实例中，相变化材料装置为一相变化材料射频开关，相变化材料射频开关具有一基板、一加热器、一介电/绝缘体层、多个氧化层、多个电极、一相变化材料区及/...

一种半导体装置结构，提供了一种后端工艺(back‑end‑of‑line,BEOL)无源装置结构。所述装置结构包括第一导体层，位于基板上；第一绝缘层，位于第一导体层上；第二导体层，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于第二导体层上；以及第三...

一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包括记忆体结构，该记忆体结构包含多个第一记忆体单元。该半导体装置包括设置在该记忆体结构旁边且包含第一监控器图案的测试结构。沿第一横向方向排列的所述多个第一记忆体单元分别具有沿垂直方向延伸的多个第一通...

本技术实施例涉及具有背栅晶体管的存储器装置。本技术实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含：互连结构，其放置在衬底上方且包含含有晶体管的存储器装置。所述晶体管包含：栅极区，其在所述互连结构的第一金属化层及第二金属化层中的至少一者中；...

本发明的实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有器件区以及围绕器件区的外围区；通孔，设置在外围区处并且至少部分地延伸穿过衬底；绝缘结构，设置在外围区处，绝缘结构至少部分地延伸穿过衬底并且围绕通孔；以及掺杂区域，设置在外围区处...

根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二多个接合层接合到第三...

本申请提供半导体器件及其形成方法，一种方法，包括：在半导体衬底中注入杂质以在半导体衬底内形成蚀刻停止区域；在半导体衬底的前侧形成晶体管结构；在晶体管结构之上形成前侧互连结构；在半导体衬底的后侧执行减薄工艺以减小半导体衬底的厚度，其中减薄...

根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯封装在密封剂中，以及在第一器件管芯和第二器件管芯上方形成电连接到第一器件管芯和第二器件管芯的互连结构。在互连结构中形成波导。基于光学引擎的互连组件接合到互...

本申请公开了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。该方法包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层，所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。

本发明实施例涉及确定凹凸质感图及形成凹凸阵列的系统和方法。本发明实施例提供一种方法。所述方法包含确定指示凹凸的第一组位置的第一凹凸质感图。所述方法包含基于所述第一凹凸质感图确定与所述第一凹凸质感图的多个区相关联的第一多个凹凸密度。所述方...

本发明的实施例提供了集成电路设计方法、系统和计算机程序产品。一种系统包括处理器，该处理器被配置为执行生成多个不同的布局块；在多个布局块中选择与电路的平面图中的多个块相对应的布局块；根据平面图将所选的布局块组合成电路的布局；以及将电路的布...

本公开的实施例描述了具有结晶的高k介电层的半导体器件。半导体结构包括位于衬底上的鳍结构、位于鳍结构上的栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极结构。栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料。本申请的实施例还涉及半导体结构及其...

本公开涉及半导体器件的制造方法。一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底上形成第一层，所述第一层包括有机材料。在第一层上形成第二层，其中，所述第二层包括含硅材料和选自由以下组成的组中的一种或多种：光致酸产生剂、包括碘取代基的光化辐射...

一种半导体封装包含多个底部半导体晶粒、多个顶部半导体晶粒及一再分配结构。所述多个顶部半导体晶粒中的各者接合至所述多个底部半导体晶粒中的一相应者。再分配结构自所述多个底部半导体晶粒与所述多个顶部半导体晶粒相对设置，且该再分配结构包含多个互...

方法包括：接收工件，工件包括衬底、位于衬底上方的第一介电层和位于介电层上方的光学层；图案化光学层以形成第一波导和光栅耦合器；在衬底中形成暴露第一介电层的第一开口，其中，第一开口的至少部分位于光栅耦合器正上方；在第一开口中沉积金属层；以及...