用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法技术

本申请公开了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。该方法包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层，所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造领域，并且更具体地涉及用于euv光刻掩模的薄膜及其制造方法。

技术介绍

1、薄膜(pellicle)是在粘合于光掩模的一侧之上的框架上拉伸的薄透明膜，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气的影响。在极紫外(euv)光刻中，通常需要具有euv波长区域中的高透明度、高机械强度和低污染或无污染的薄膜。euv透射隔膜(transmittingmembrane)也用于euv光刻装置以代替薄膜。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供了一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。

2、根据本公开的第二方面，提供了一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理；以及使所述纳米管层干燥。

3、根据本公开的第三方面，提供了一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述溶剂包括有机溶剂、或水和有机溶剂的混合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机溶剂包括从由脂肪烃、芳香烃、胺、酯、醚、酮和醇组成的组中选择的至少一者。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机溶剂包括从由甲醇、乙醇和异丙醇组成的组中选择的至少一者。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机溶剂包括从由苯、丙酮和甲苯组成的组中选择的至少一者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述溶剂浸渍处理被执行1分钟到2小时...

【技术特征摘要】

1.一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述溶剂包括有机溶剂、或水和有机溶剂的混合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机溶剂包括从由脂肪烃、芳香烃、胺、酯、醚、酮和醇组成的组中选择的至少一者。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机溶剂包括从由甲醇、乙醇和异丙醇组成的组中选择的至少一者。

5.根据权利要求2所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鼎弼，许倍诚，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：