半导体结构及其形成方法技术

本公开的实施例描述了具有结晶的高k介电层的半导体器件。半导体结构包括位于衬底上的鳍结构、位于鳍结构上的栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极结构。栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet和鳍式场效应晶体管(finfet)。这样的缩小增加了半导体制造工艺的复杂性，并且增加了半导体器件中缺陷控制的难度。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：鳍结构，位于衬底上；栅极介电层，位于所述鳍结构上，其中，所述栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料；以及栅极结构，位于所述栅极介电层上。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：一个或多个纳米结构，位于衬底上；栅极介电层，包裹所述一个或多个纳米结构，其中，所述栅极介电层的侧壁部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料；以及栅极结构，围绕所述栅极介电层。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的侧壁部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的侧壁部分是非晶的，并且包括非晶的高k介电材料。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的厚度在约0.1nm至约5nm范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：额外栅极介电层，位于所述栅极介电层和所述栅极结构之间，其中，所述额外栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括与所述结晶的高k介电材料不同的额外结晶的高k介电材料。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的侧壁部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的侧壁部分是非晶的，并且包括非晶的高k介电材料。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的厚度在约0.1nm至约5nm范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：额外栅极介电层，位于所述栅极介电层和所述栅极结构之间，其中，所述额外栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建彰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：