【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及确定凹凸质感图及形成凹凸阵列的系统和方法。
技术介绍
1、半导体装置用于多种电子装置中，例如移动电话、膝上型计算机、桌面型计算机、平板计算机、手表、游戏系统及各种其它工业、商业及消费型电子器件。半导体晶片通常经历一或多个制程以在其上及/或从其生产半导体装置。
技术实现思路
1、根据本专利技术的实施例，一种凹凸质感图确定方法包括：确定第一凹凸质感图，其指示：凹凸的第一组位置；及所述凹凸的第一组大小；基于所述第一凹凸质感图确定与所述第一凹凸质感图的多个区相关联的第一多个凹凸密度；平滑化所述第一多个凹凸密度以确定与所述第一凹凸质感图的所述多个区相关联的第二多个凹凸密度；及基于所述第二多个凹凸密度确定指示所述凹凸的所述第一组位置及所述凹凸的第二组大小的第二凹凸质感图。
2、根据本专利技术的实施例，一种凹凸阵列形成方法包括：确定第一凹凸质感图，其指示：凹凸的第一组位置；及所述凹凸的第一组大小；基于所述第一凹凸质感图确定与所述第一凹凸质感图的多个区相关联的第一多个凹凸密度；确定与所述第一凹凸质感图的所述多个区相关联的第二多个凹凸密度，其中所述第二多个凹凸密度不同于所述第一多个凹凸密度；及基于所述第二多个凹凸密度确定第二凹凸质感图，其指示：所述凹凸的所述第一组位置；及所述凹凸的第二组大小，其中所述第二凹凸质感图用于根据所述第二凹凸质感图在晶片上形成凹凸阵列。
3、根据本专利技术的实施例，一种凹凸质感图确定方法包括：确定指示凹凸的第一组位置的第一凹凸质感
4、根据本专利技术的实施例，一种用于形成半导体装置的方法包括：在第一装置芯片上形成凹凸阵列，其中：所述凹凸阵列的第一凹凸区包括具有第一凹凸大小及第一凹凸节距的凹凸；且所述凹凸阵列的第二凹凸区包括具有第二凹凸大小及第二凹凸节距的凹凸；及经由所述凹凸阵列将所述第一装置芯片堆叠在包括衬底或第二装置芯片中的至少一者的结构上，其中：所述第一凹凸节距与所述第二凹凸节距之间的差等于值与所述第一凹凸大小与所述第二凹凸大小之间的差的乘积；且所述值介于约0.01到约0.1之间。
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1.一种凹凸质感图确定方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一多个凹凸密度包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中平滑化所述第一多个凹凸密度以确定所述第二多个凹凸密度包括：
5.一种凹凸阵列形成方法，其包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中确定所述第一多个凹凸密度包括：
7.一种凹凸质感图确定方法，其包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
9.一种用于形成半导体装置的方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
【技术特征摘要】
1.一种凹凸质感图确定方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一多个凹凸密度包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中平滑化所述第一多个凹凸密度以确定所述第二多个凹凸密度包括：
5.一种凹凸阵列形...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐士轩，程湛中，刘俊成，陈正泓，陈鹏任，郑文豪，牟忠一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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