本实用新型提供一种光学神经网络的半导体器件及设备。半导体器件包括具有彼此相对的第一侧与第二侧的氧化物层。所述半导体器件包括多个第一波导，所述多个第一波导在氧化物层的第一侧上分别跨越多个第一绝缘体层设置。所述半导体器件包括多个第二波导，所...

本实用新型揭露了光子装置及包括光子装置的集成电路。光子装置包括基底、第一绝缘体层、第一多个波导层及第一多个绝缘体间隔件以及第一多个波导图案。第一绝缘体层位于基底之上。第一多个波导层及第一多个绝缘体间隔件在第一绝缘体层之上沉积于不同垂直水...

本公开的各种实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件结构包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体层、与多个半导体中的每个接触的源极/漏极部件、设置在两个相邻半导体层之间的内部间隔件、围绕多个半导体的每一层的部分的栅...

一种形成封装件的方法包括：通过面对面接合将第一器件管芯接合至第二器件管芯，其中，第二器件管芯位于器件晶圆中，形成间隙填充区域以环绕第一器件管芯，对器件晶圆执行背侧研磨工艺以露出第二器件管芯中的第一贯通孔，以及在器件晶圆的背侧上形成再分布...

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；形成与第一晶体管和第二晶体管相邻的第一开口；在第一开口中形成栅极隔离层；在栅极隔离层上形成导电层，导电层位于第一开口中；在导电层中形成切...

一种形成集成电路器件的方法包括在第一封装组件的第一接触焊盘上方沉积焊膏。将第二封装组件的弹簧连接件与焊膏对准。回流焊膏，以将第二封装组件的弹簧连接件电耦接且物理耦接至第一封装组件的第一接触焊盘。本发明的实施例还提供了集成电路器件。实施例...

根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部...

在实施例中，提供了一种半导体器件，一种半导体器件包括：介电壁；邻接介电壁的纳米结构；与纳米结构的下子集毗邻的下源极/漏极区域；与纳米结构的上子集毗邻的上源极/漏极区域，上源极/漏极区域与下源极/漏极区域相反地掺杂；以及接触上源极/漏极区...

半导体结构包括：光学中介层，具有位于第一介电层中的至少一个第一光子器件和位于第二介电层中的至少一个第二光子器件，其中，第二介电层设置在第一介电层之上。半导体结构还包括：第一管芯，设置在光学中介层上并且电连接至光学中介层；第一衬底，位于光...

本发明实施例涉及一种半导体封装结构和用于制作半导体封装结构的方法

根据一些实施例，本发明的实施例提供了半导体结构

提供了半导体结构及其形成方法

一种半导体封装体，包括：一封装基底，包括：一基底核心；一上重布线层，设置于基底核心第一侧；以及一下重布线层，设置于基底核心一相对的第二侧；一半导体装置，垂直堆叠于封装基底上，并与之电连接；以及一上加固层，嵌入于半导体装置与基底核心之间的...

半导体装置包括：裸片，具有多个裸片连接物于裸片的前侧上；成型化合物，围绕裸片；以及重布线结构，其中裸片的裸片连接物贴合至重布线结构的第一侧，其中重布线结构包括：介电层；导线，沿着面向裸片的介电层的第一表面延伸；以及翘曲调整层，沿着面向裸...

一种硅光子电路中的波长调谐的方法包括接收总线波导、与总线波导光学耦合的环形谐振器以及在总线波导和环形谐振器上方的介电层。所述方法还包括在第一温度执行第一加热工艺以加热介电层，其中第一加热工艺将环形谐振器的初始谐振波长位移到比初始谐振波长...

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二...

根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件，包括具有第一接合层的第一管芯；第二管芯，第二管芯具有设置在第一接合层上方并且接合到第一接合层的第二接合层；多个接合构件，其中多个接合构件中的每个在第一接合层和第二接合层内延伸，其中多个接合构件包...

本发明提供一种半导体封装包括：包括半导体晶粒的第一封装元件，其中半导体晶粒包括多个导电接垫，其中半导体晶粒被封装胶体环绕；位于半导体晶粒上的适应性内连线结构，其中适应性内连线结构包括多条导电线以及多个第一接合接垫，其中每一导电线实体接触...

第一集成电路裸片包括第一基板。第二集成电路裸片包括第二基板。第一基板与该第二基板的至少一者具有第一表面定向。第一集成电路裸片与第二集成电路裸片分开。第三裸片电性内连线第一集成电路裸片至第二集成电路裸片。第三裸片包括第三基板，其具有第二表...

本发明提供一种装置接合设备。所述装置接合设备包括：第一工艺站，被配置成接收晶圆；第一接合头，被配置成将晶粒载送至晶圆，其中第一接合头包括第一刚性体及真空信道，所述真空信道位于第一刚性体中以用于提供将晶粒载送至晶圆的附着力；以及第二接合头...