EUV光掩模及其制造方法技术

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二多层，该第二多层为反射掩模的最上层。层为反射掩模的最上层。

【技术实现步骤摘要】
EUV光掩模及其制造方法


[0001]本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进展产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。然而，这些进展增加了加工和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进展，需要在IC加工和制造方面进行类似的发展。在IC演进的过程中，功能密度(即每芯片面积互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以创建的最小组件)减少。
[0003]在与光刻图案化相关联的一个示例中，用于光刻工艺的光掩模(或掩模)被限定有将转移到晶圆的电路图案。在先进的光刻技术中，极紫外(EUV)光刻工艺与反射掩模一起使用。EUV光刻工艺中需要解决的问题之一是邻近效应，其中曝光区域的角落部分被多次曝光。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一方面，提供了一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的第一调整层、所述第一调整层上的第二吸收层、所述第二吸收层上的第二调整层、所述第二调整层上的第三吸收层、所述第三吸收层上的第四吸收层、以及所述第四吸收层上的硬掩模层；对所述光刻胶层进行图案化；通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模对所述硬掩模层进行图案化；执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第四吸收层、所述第三吸收层和所述第二调整层进行图案化；执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层作为蚀刻掩模来对所述第一调整层、所述第二吸收层和所述第一吸收层进行图案化；以及去除经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一调整层和所述第二调整层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，对的数量为2至5。4.根据权利要求3所述的方法，其中，Si的厚度、Mo的厚度或所述对的数量中的至少一个在所述第一调整层和所述第二调整层之间不同。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一吸收层、所述第二吸收层、所述第三吸收层和所述第四吸收层的材料彼此不同。6.根据权利要求5所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛文章，连大成，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：