图像传感器及其形成方法技术

本公开的各种实施例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中像素传感器跨越多个集成电路(IC)芯片。光电检测器和第一晶体管在第一IC芯片处形成像素传感器的第一部分。多个第二晶体管在第二IC芯片处形成像素传感器的第二部分。通过省略光电检测器处的STI结构，围绕像素传感器并界定像素传感器的掺杂阱可以具有比其他情况下更小的宽度。因此，掺杂阱可以消耗更少的光电检测器面积。这继而又允许增强像素传感器的按比例缩小。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]带有图像传感器的集成电路(IC)被广泛应用于现代电子设备，例如，诸如照相机、手机等。图像传感器的类型例如包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器由于功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出和制造成本低而日益受到青睐。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：第一集成电路芯片，包括第一衬底；第二集成电路芯片，与第一集成电路芯片堆叠；以及像素传感器，跨越第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，其中，像素传感器包括第一集成电路芯片中的第一晶体管和光电检测器，并且还包括第二集成电路芯片中的多个第二晶体管；其中，光电检测器位于第一衬底中，并且第一晶体管位于第一衬底的前侧上，并且其中第一集成电路芯片在光电检测器处没有延伸到前侧的浅沟槽隔离结构。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种图像传感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：第一集成电路芯片，包括第一衬底；第二集成电路芯片，与所述第一集成电路芯片堆叠；以及像素传感器，跨越所述第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，其中，所述像素传感器包括在所述第一集成电路芯片中的第一晶体管和光电检测器，并且还包括在所述第二集成电路芯片中的多个第二晶体管；其中，所述光电检测器位于所述第一衬底中，并且所述第一晶体管位于所述第一衬底的前侧上，并且其中所述第一集成电路芯片在所述光电检测器处没有延伸到所述前侧的浅沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一集成电路芯片包括：掺杂阱，从所述前侧延伸到所述第一衬底中，并且具有围绕所述光电检测器的栅格形状的顶部几何形状，其中，所述前侧具有从所述掺杂阱的面向所述光电检测器的第一侧壁到所述掺杂阱的背向所述光电传感器的第二侧壁的基本上平面的轮廓。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述掺杂阱具有与所述第一晶体管的源极区或漏极区相反的掺杂类型。4.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：第二像素传感器，与所述像素传感器接界并且是所述像素传感器的重复，其中，所述前侧具有从所述像素传感器到所述第二像素传感器的基本上平面的轮廓。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二集成电路芯片包括：第二衬底，所述第二晶体管布置在所述第二衬底上；和浅沟槽隔离结构，延伸到所述第二衬底中并将所述第二晶体管彼此分离。6.根据权利要求5所述的图像传感器，还包括：第三集成电路芯片，与所述第一集成电路芯片和所述第二集成电路芯片堆叠，使得所述第二集成电路芯片位于所述第一集成电路芯片和所述第三集成电路芯片之间；和专用集成电路，用于跨越所述第二集成电路芯片和所述第三集成电路芯片的图像信号处理。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：锺积贤，王子睿，许慈轩，王铨中，杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：