【技术实现步骤摘要】
本揭露实施例是有关于一种用于制造半导体装置的方法、系统以及非暂时性计算机可读取存储媒体。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit，ic)行业生产各种模拟半导体装置及数字半导体装置来解决不同领域的问题。半导体工艺技术节点的发展已使组件尺寸逐渐减小且使间距更紧密，进而使得晶体管密度逐渐增大。ic逐渐变小。
2、在半导体装置的设计期间，使用布局图来表示半导体装置。布局图的设计师自标准胞元库选择标准胞元且使所述标准胞元包括于布局图中。一旦被包括于布局图中，先前的标准胞元便被称为标准胞元的实例(instantiation)。实例化胞元例如因进一步包括关于例如以下的信息而与标准胞元不同：实例化胞元在布局图中的几何位置、耦合至实例化胞元的输入的特定信号、耦合至实例化胞元的输出的负载或类似信息。
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种方法(制造半导体装置的方法，其中用于所述半导体装置的对应布局图包括实例化胞元，每一实例化胞元是自标准胞元构成的标准胞元库选择的对应标准胞元的实例，所述布局图、所述标准胞元库及第一效能数据库存储于非暂时性计算机可读取存储媒体上)包括产生所述第一效能数据库，所述产生所述第一效能数据库包括：针对包括多个闸的每一标准胞元将所述多个闸分类成群组，包括：搜寻所述多个闸之中的匹配闸；将对应匹配闸分组至对应的第一群组中，每一第一群组具有多个成员闸；以及针对所述多个闸中的不匹配的闸而将所述不匹配闸分组至对应的第二群组中，每一第二群组具有对应的单个成员闸
2、在一些实施例中，一种用于制造半导体装置的系统，所述系统包括：至少一个处理器；至少一个非暂时性计算机可读取存储媒体，存储计算机可执行码；对应的布局图，包括实例化胞元，每一实例化胞元是自标准胞元构成的标准胞元库选择的对应标准胞元的实例，所述布局图、所述标准胞元库及第一效能数据库存储于非暂时性计算机可读取存储媒体上，所述非暂时性计算机可读取存储媒体、所述计算机程序可执行码及所述至少一个处理器被配置成使所述系统产生所述第一效能数据库，所述产生所述第一效能数据库包括：针对包括多个闸的每一标准胞元将所述闸的特征分类成群组，包括：搜寻所述多个闸的所述特征之中的匹配特征；将对应匹配特征分组至对应的第一群组中，每一第一群组具有多个成员特征；以及针对所述特征中的不匹配特征而将所述不匹配特征分组至对应的第二群组中，每一第二群组具有对应的单个成员特征；针对每一标准胞元产生对应的第一效能数据量，所述标准胞元的属性是基于所述第一效能数据量，所述产生对应的所述第一效能数据量包括：针对每一标准胞元的每一第一群组进行以下操作：针对所述第一群组中的所述成员特征中的第一目标特征而以个别方式计算所述第一效能数据量；将所述第一效能数据量映射至所述第一目标特征；以及将所述第一效能数据量映射至所述第一群组中的所述成员特征中的非目标特征；针对每一标准胞元的每一第二群组进行以下操作：针对所述第二群组中的所述成员特征中的第二目标特征确定所述第一效能数据量；以及将所述第一效能数据量映射至所述第二目标特征；以及使所述第一效能数据库至少部分地基于所述第一效能数据量，所述标准胞元库的所述标准胞元的属性是基于所述第一效能数据库。
3、在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读取存储媒体，在所述非暂时性计算机可读取存储媒体上存储有表示一种方法(产生第一效能数据库的方法，包括标准胞元库的标准胞元的属性是基于所述第一效能数据库，所述标准胞元库及所述第一效能数据库存储于非暂时性计算机可读取存储媒体上)的计算机可执行指令，所述计算机可执行指令能够由至少一个处理器执行以实行所述方法，所述方法包括：针对包括多个闸的每一标准胞元将所述多个闸分类成群组，每一闸具有n个输入，其中n是正整数且n等于或大于2，所述将所述多个闸分类成群组包括：搜寻所述多个闸之中的匹配闸；将对应匹配闸分组至对应的第一群组中，每一第一群组具有多个成员闸；以及针对所述多个闸中的不匹配闸而将所述不匹配闸分组至对应的第二群组中，每一第二群组具有对应的单个成员闸；针对每一标准胞元产生对应的第一效能数据量，所述标准胞元的属性是基于所述第一效能数据量，所述产生对应的所述第一效能数据量包括：针对每一标准胞元的每一第一群组进行以下操作：针对所述第一群组中的所述成员闸中的第一目标闸而以个别方式计算所述第一效能数据量；将所述第一效能数据量映射至所述第一目标闸；以及将所述第一效能数据量映射至所述第一群组中的非目标闸；针对每一标准胞元的每一第二群组进行以下操作：针对所述第二群组中的所述成员闸中的第二目标闸确定所述第一效能数据量；以及将所述第一效能数据量映射至所述第二目标闸；以及使所述第一效能数据库至少部分地基于所述第一效能数据量；所述产生对应的所述第一效能数据量还包括：针对每一第一群组的每一目标闸及每一第二群组的每一目标闸进行以下操作：针对所述n个输入的2^n个值组合中的每一者而基于以下来确定对应的2^n个效能数据页：所述第一目标闸或所述第二目标闸的所述n个输入的对应的第n个值组合；以及所述非目标闸中的每一者的所述n个输入的预定义值组合；且每一第一效能数据量是包括所述对应的2^n个效能数据页的集合。
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1.一种制造半导体装置的方法，其中用于所述半导体装置的对应布局图包括实例化胞元，所述实例化胞元中的每一实例化胞元是自标准胞元构成的标准胞元库选择的对应标准胞元的实例，所述布局图、所述标准胞元库及第一效能数据库存储于非暂时性计算机可读取存储媒体上，所述方法包括产生所述第一效能数据库，所述产生所述第一效能数据库包括：
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中每一说明包括：
4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
8.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
9.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
11.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：p>
12.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
13.一种用于制造半导体装置的系统，包括：
14.一种非暂时性计算机可读取存储媒体，在所述非暂时性计算机可读取存储媒体上存储有表示产生第一效能数据库的方法的计算机可执行指令，包括标准胞元库的标准胞元的属性是基于所述第一效能数据库，所述标准胞元库及所述第一效能数据库存储于所述非暂时性计算机可读取存储媒体上，所述计算机可执行指令能够由至少一个处理器执行以实行所述方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其中用于所述半导体装置的对应布局图包括实例化胞元，所述实例化胞元中的每一实例化胞元是自标准胞元构成的标准胞元库选择的对应标准胞元的实例，所述布局图、所述标准胞元库及第一效能数据库存储于非暂时性计算机可读取存储媒体上，所述方法包括产生所述第一效能数据库，所述产生所述第一效能数据库包括：
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中每一说明包括：
4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：黎家豪，吴秉修，廖培伟，高章瑞，何紫瑄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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