半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括垂直配置在第一底鳍结构上方的第一组半导体层和垂直配置在第二底鳍结构上方的第二组半导体层，设置在基板上方的隔离绝缘层，包括设置在第一组半导体层和第二组半导体层之间的介电层的壁鳍，以及栅极结构。栅极结构包括环绕第一组半导体层中的每一个的第一栅极介电层，以及环绕第二组半导体层中的每一个的第二栅极介电层、设置在第一栅极介电层上方的多个第一导电层，以及设置在第二栅极介电层上方的多个第二导电层，以及设置在第一导电层和第二导电层上方的栅电极。在第一导电层和第二导电层上方的栅电极。在第一导电层和第二导电层上方的栅电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本技术涉及半导体装置，尤其涉及场效晶体管装置。

技术介绍

[0002]随着半导体产业为了追求更高的装置密度、更高的性能和更低的成本而进入纳米技术工艺节点，制造和设计问题的挑战导致了三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(鳍式FET)或全绕式栅极(GAA)场效晶体管。鳍式场效晶体管装置通常包括具有高深宽比并且其中形成半导体晶体管装置的通道和源/漏极区的半导体鳍，并且全绕式栅极场效晶体管装置包括作为通道区的半导体纳米片或纳米线以及围绕每一个通道区的栅极结构。金属栅极结构用于生产更快、更可靠和更好控制的半导体晶体管装置。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提出一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。
[0004]为实现上述目的，本公开采用如下技术方案：
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种半导体装置，包括：一第一组半导体层，垂直配置在一第一底鳍结构上方，一第二组半导体层，垂直配置在一第二底鳍结构上方；一隔离绝缘层，设置在一基板上方；一壁鳍，包括设置在该第一组半导体层和该第二组半导体层之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一第一组半导体层，垂直配置在一第一底鳍结构上方，一第二组半导体层，垂直配置在一第二底鳍结构上方；一隔离绝缘层，设置在一基板上方；一壁鳍，包括设置在该第一组半导体层和该第二组半导体层之间的多个介电层；以及一栅极结构，其中该栅极结构包括：一第一栅极介电层，环绕该第一组半导体层中的每一个，以及一第二栅极介电层，环绕该第二组半导体层中的每一个；多个第一导电层，设置在该第一栅极介电层上方，以及多个第二导电层，设置在该第二栅极介电层上方；以及一栅电极，设置在多个所述第一导电层和多个所述第二导电层上方。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个所述第一导电层和多个所述第二导电层被该壁鳍分开。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该栅电极设置在该壁鳍上。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该壁鳍包括一第一部分和一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴安闳，陈嘉伟，邱诗航，卢昱宏，陈蕙祺，游国丰，陈建豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：