一种横向功率半导体器件版图及器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种横向功率半导体器件版图及器件结构，属于功率半导体器件技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种横向功率半导体器件版图及器件结构


[0001]本专利技术属于功率半导体
，涉及一种横向功率半导体器件版图及器件结构
。

技术介绍

[0002]横向双扩散金属氧化物半导体
(Laterally Double
‑
diffused Metal Oxide Semiconductor
，
LDMOS)
器件由于便于集成，被广泛应用于智能功率集成电路
(Smart Power Integrated Circuit
，
SPIC)。
[0003]在传统的
SPIC
版图设计中，
LDMOS
常为叉指状
。
然而叉指状版图具有漏面积大
、
漏电容大
、
动态特性差，多晶硅栅极较长
、
器件开启和关断之间有延时等问题
。
并且叉指状结构边缘处存在直角，容易引起曲率效应，在边缘处电场集中，从而导致器件提前击穿；且直角处易产生热点，影响器件安全工作区和可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：漏电极中心正方形元胞版图包括源区
、
栅极
、
漏区
、
漂移区
、
体区；体区与源区共同集成在元胞内，以减小器件面积，提升集成度；漏区位于版图中心，源区
、
栅极
、
漂移区的中心都与漏区中心重合，漂移区包围漏区，源区相切于栅极的外边缘，体区相切于源区的内外边缘，源区的长度和器件漂移区长度一致，栅极超出漂移区边缘的部分作为场板，优化器件静态特性；该元胞紧密排列形成对应的器件版图，该器件的元胞之间共用源区；漏电极中心元胞为边数大于等于3的多边形结构或圆形，或者将这些元胞集成在叉指状结构中，以提升器件宽长比，提高器件电流能力
。2.
根据权利要求1所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：漏电极中心元胞版图为三角形
、
四边形
、
五边形
、
六边形
、
圆形
、
或八边形
。3.
根据权利要求1所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：源区的长度为器件中源区长度
d1
的二分之一，以提升集成度；或者为器件中源区长度
d1
，以提升过流能力
。4.
根据权利要求1所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：漏电极中心元胞为八边形，在相邻四个元胞中心的共用源区处增加打孔面积，以满足大电流应用，同时减小器件面积，提升集成度
。5.
根据权利要求1所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：漏电极中心元胞为圆形，相邻列的元胞之间沿纵向错位，并且
/
或者在横向上错位，以提升器件集成度，定义元胞在纵向上紧密排列的重复单元为一列
。6.
一种横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：源电极中心正方形元胞版图包括源区
、
栅极
、
漏区
、
漂移区
、
体区；体区位于版图中心，源区
、
漏区
、
栅极
、
漂移区的中心都与体区中心重合，源区相切于体区的外边缘，栅极相切于源区的外边缘，漂移区相切于漏区的内边缘，漂移区的长度和器件漂移区长度一致，栅极超出漂移区边缘的部分作为场板，优化器件静态特性；该元胞紧密排列形成对应的器件版图，该器件的元胞之间共用漏区，源电极中心元胞为边数大于等于3的多边形结构或圆形，或者将这些元胞集成在叉指状结构中；该正方形元胞紧密排列可形成对应的器件版图
。7.
根据权利要求6所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：源电极中心元胞版图为三角形
、
四边形
、
五边形
、
六边形
、
圆形
、
八边形
。8.
根据权利要求6所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：源区的长度为器件中源区长度
d1
的二分之一，以提升集成度；或者为器件中源区长度
d1
，以提升过流能力
。9.
根据权利要求6所述的横向功率半导体器件版图结构，其特征在于：源电极中心元胞为八...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，王嘉伟，马鼎翔，高悦，刘根，王胜铎，叶元庆，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：