【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。
技术介绍
1、许多现代电子设备(例如，智能手机、数码相机、生物医学成像设备、汽车成像设备等)包括图像传感器。图像传感器包括一个或多个光电检测器(例如，光电二极管、光电晶体管、光电阻器等)，其被配置为吸收入射辐射并输出对应于入射辐射的电信号。一些类型的图像传感器包括电荷耦接器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。与ccd图像传感器相比，cmos图像传感器由于功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出和制造成本低而备受青睐。一些类型的cmos图像传感器包括前侧照明(fsi)图像传感器和背侧照明(bsi)图像传感器。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：第一芯片，包括第一衬底、设置在第一衬底中的多个光电检测器、设置在第一衬底的前侧上的第一互连结构以及设置在第一互连结构上的第一接合结构；第二芯片，位于第一芯片下方，其中，第二芯片包括第二衬底、设置在第二衬底上的多个半导体器件、设置在第二衬底的前侧上的第二互连结构以及设置在第二互连结构上的第二接合结构；并且其中，第一接合界面设置在第二接合结构和第一接合结构之间，其中，第二互连结构通过第一接合结构和第二接合结构电耦接到第一互连结构，其中，第一接合结构和第二接合结构中的至少一个包括一个或更少的导电接合层。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种图像传感器，包括：第一芯片，包括设置在第一衬底上的第一互连结构、设置在
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种用于形成图像传感器的方法，方法包括：在第一衬底内形成多个光电检测器；在第一衬底上形成第一互连结构；在第一互连结构上形成第一接合结构；在第二衬底上形成多个半导体器件；在第二衬底上形成第二互连结构；在第二互连结构上形成第二接合结构，其中，第一接合结构和第二接合结构中的至少一个包括单个导电接合层；以及执行第一接合工艺以将第一衬底接合到第二衬底，使得接合界面设置在第一接合结构和第二接合结构之间。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一接合结构包括单个导电接合层，并且所述第二接合结构包括在多个第二接合接触件之上的多个第二接合焊盘。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述单个导电接合层包括多个第一接合焊盘或多个第一接合接触件。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一接合结构直接接触所述第一互连结构中的导电布线的最顶层，并且所述第二接合结构直接接触所述第二互连结构中的导电布线的最顶层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，多个传输晶体管和多个像素器件设置在所述第一衬底的所述前侧上，其中，所述多个像素器件包括复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
7.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：
8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第三接合结构和所述第四接合结构中的至少一个包括一个或更少的导电接合层。
9.一种图像传感器，包括：
10.一种用于形成图像传
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一接合结构包括单个导电接合层，并且所述第二接合结构包括在多个第二接合接触件之上的多个第二接合焊盘。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述单个导电接合层包括多个第一接合焊盘或多个第一接合接触件。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一接合结构直接接触所述第一互连结构中的导电布线的最顶层，并且所述第二接合结构直接接触所述第二互连结构中的导电布线的最顶层。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨皓麟，黄冠杰，徐伟诚，王子睿，王铨中，杨敦年，陈宥均，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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