一种半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第二晶体管的第三源极/漏极结构及第四源极/漏极结构。此第二源极/漏极结构及此第三源极/漏极结构合并为共用源极/漏极结构。此半导体装置包括沿第一横向方向延伸且设置在此共用源极/漏极结构上方的第一互连结构。此半导体装置包括插置于此第一互连结构与此共用源极/漏极结构之间的第一介电结构。的第一介电结构。的第一介电结构。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本揭示是关于一种半导体装置，特别是指具有插置于主动区与栅极结构之间的介电结构的半导体装置。
技术介绍
[0002]由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度不断提高，半导体行业已经经历了快速增长。在大多数情况下，整合密度的此种提高来自于最小特征大小的反复减小，此允许将更多的部件整合到给定区域中。
技术实现思路
[0003]本揭示的一实施方式是一种半导体装置，包含第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构、第二晶体管的第三源极/漏极结构及第四源极/漏极结构、第一互连结构以及第一介电结构。第二源极/漏极结构及第三源极/漏极结构合并为共用源极/漏极结构。第一互连结构沿第一横向方向延伸且设置于共用源极/漏极结构上方。第一介电结构插置于第一互连结构与共用源极/漏极结构之间。
[0004]本揭示的一实施方式是一种半导体装置，包含形成于基板的正面上且沿第一横向方向延伸的主动区、沿第二横向方向延伸且横穿主动区的第一栅极结构、沿第二横向方向延伸且横穿主动区的第二栅极结构、沿第二横向方向延伸且设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一互连结构以及竖直插置于第一互连结构与主动区的第一部分之间的第一介电结构。第一部分横向插置于第一栅极结构与第二栅极结构之间。主动区的第一部分由第一介电结构与第一互连结构电隔离。
[0005]本揭示的一实施方式是一种半导体装置，包含：在基板上方沿第一横向方向延伸的主动区；第一栅极结构及第二栅极结构，其中第一栅极结构及第二栅极结构各自沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸；覆盖主动区的第一部分的介电结构，介电结构插置于第一栅极结构与第二栅极结构之间；及第一互连结构、第二互连结构及第三互连结构，分别在主动区的第一部分、一第二部分及一第三部分上方，介电结构插置于主动区的第一部分与第一互连结构之间，其中第一至第三互连结构均沿第二横向方向延伸。
附图说明
[0006]当与随附附图一起阅读时，从以下详细描述中可最好地理解本揭示的一实施例的各态样。值得注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清晰，可任意增加或减少各种特征的尺寸。
[0007]图1A示出根据一些实施例的示例电路及其对应布局设计的电路图；
[0008]图1B示出根据一些实施例的基于图1A的布局设计制造的示例半导体装置的横截面图；
[0009]图1C示出根据一些实施例的基于图1A的布局设计制造的另一示例半导体装置的
横截面图；
[0010]图2A示出根据一些实施例的具有对应布局设计的电路图及另一示例半导体装置的横截面图；
[0011]图2B示出根据一些实施例的基于图2A的布局设计制造的示例半导体装置的横截面图；
[0012]图2C示出根据一些实施例的基于图2A的布局设计制造的另一示例半导体装置的横截面图；
[0013]图3示出根据一些实施例的具有示例NAND2元件的对应布局设计的电路图；
[0014]图4示出根据一些实施例的具有示例AOI22元件的对应布局设计的电路图；
[0015]图5示出根据一些实施例的具有示例NAND3元件的对应布局设计的电路图；
[0016]图6示出根据一些实施例的具有示例变流器的对应布局设计的电路图；及
[0017]图7示出根据一些实施例的用于形成包括介电质结构的半导体装置的示例方法的流程图。
[0018]【符号说明】
[0019]100A:电路
[0020]100B:布局
[0021]100C:半导体装置
[0022]100D:半导体装置
[0023]101A:晶体管
[0024]101B:晶体管
[0025]102:图案,部分,OD
[0026]102A:部分,源极/漏极结构
[0027]102B:部分,源极/漏极结构
[0028]102C:部分,源极/漏极结构
[0029]104:栅极结构
[0030]104A:图案,栅极结构
[0031]104B:图案,栅极结构
[0032]106:MD
[0033]106A:图案,MD
[0034]106B:图案,MD
[0035]106C:图案,MD
[0036]108:图案,CPODE
[0037]110:VD
[0038]110A:VD
[0039]110B:VD
[0040]110C:VD
[0041]112:M0
[0042]112A:M0
[0043]112B:M0
[0044]112C:M0
[0045]114:V0
[0046]114A:V0
[0047]114B:V0
[0048]116:M1
[0049]116A:M1
[0050]116B:M1
[0051]116C:M1
[0052]118:图案,隔离层
[0053]118A:隔离层
[0054]118B:图案,隔离层
[0055]118C:隔离层
[0056]118D:隔离层
[0057]120:VB
[0058]122:BM0
[0059]124A:图案,EPI
[0060]124B:图案,EPI
[0061]126:VG
[0062]128:VD2
[0063]130:VB
[0064]132:BM0
[0065]200A:电路
[0066]200B:布局
[0067]200C:半导体装置
[0068]200D:半导体装置
[0069]201A:晶体管
[0070]201B:晶体管
[0071]300A:电路
[0072]300B:布局
[0073]301A:晶体管
[0074]301B:晶体管
[0075]301C:晶体管
[0076]301D:晶体管
[0077]302:OD部分,源极/漏极结构
[0078]400A:电路
[0079]400B:布局
[0080]401A:晶体管
[0081]401B:晶体管
[0082]401C:晶体管
[0083]401D:晶体管
[0084]401E:晶体管
[0085]401F:晶体管
[0086]401G:晶体管
[0087]401H:晶体管
[0088]402A:源极/漏极结构,OD部分
[0089]402B:源极/漏极结构,OD部分
[0090]500A:电路
[0091]500B:布局
[0092]501A:晶体管
[0093]501B:晶体管
[0094]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，其包含：一第一晶体管的一第一源极/漏极结构及一第二源极/漏极结构；一第二晶体管的一第三源极/漏极结构及一第四源极/漏极结构，其中该第二源极/漏极结构及该第三源极/漏极结构合并为一共用源极/漏极结构；一第一互连结构，沿一第一横向方向延伸且设置于该共用源极/漏极结构上方；及一第一介电结构，插置于该第一互连结构与该共用源极/漏极结构之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一介电结构用以将该共用源极/漏极结构与该第一互连结构电隔离。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一互连结构经配置为处于一浮动电压。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包含：一第二互连结构，沿垂直于该第一横向方向的一第二横向方向延伸；及一通孔结构，将该第一互连结构电连接到该第二互连结构。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包含：该第一晶体管的一第一栅极结构，沿该第一横向方向延伸，其中该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构分别设置在该第一栅极结构的相对两侧；及该第二晶体管的一第二栅极结构，沿该第一横向方向延伸，其中该第三源极/漏极结构及该第四源极/漏极结构分别设置在该第二栅极结构的相对两侧。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包含：一第三互连结构，沿该第一横向方向延伸且设置在该第一源极/漏极结构上方；及一第四互连结构，沿该第一横向方向延伸且设置在该第四源极/漏极结构上方。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三互连结构与该第一源极/漏极结构电连接，且该第四互连结构与该第四源极/漏极结构电连接；其中该第三互连结构及第四互连结构中的每一者与一第五互连结构电耦合，该第五互连结构经配置...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢麒友，赖知佑，汪孟学，陈志良，邱上轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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