【技术实现步骤摘要】
具有稳健的亚阈值操作的MOSFET晶体管
[0001]本申请是于
2017
年3月6日提交的名称为“具有稳健的亚阈值操作的
MOSFET
晶体管”的中国专利申请
201780012917.5
的分案申请
。
[0002]本专利技术涉及具有一个或多个金属氧化物半导体
(MOS)
晶体管的集成电路的制造
。
技术介绍
[0003]可以预期用于低电流模拟集成电路的晶体管在亚阈值电压下工作
。
晶体管匹配通常会影响模拟电路的性能和精度
。
晶体管的寄生组件可能会影响晶体管的匹配能力
。
例如，某些与沟道相关的寄生组件可能会降低晶体管的阈值电压，从而影响晶体管在亚阈值操作中的性能和精度
。
技术实现思路
[0004]在具有形成在衬底上的若干个晶体管区的集成电路的一个示例实施方式中，晶体管区彼此间隔开，并且每个晶体管区由纵向尺度和横向尺度限定
。
每个晶体管区包括沟道区
、
端子区和边缘阻挡区
。
沟道区沿着横向尺度定位，并且该沟道区包括沿着纵向尺度的沟道边缘区
。
端子区邻近沟道区定位，并且端子区用第一导电类型的第一掺杂剂掺杂
。
边缘阻挡区沿着纵向尺度定位并且与沟道边缘区相邻
。
边缘阻挡区用与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂掺杂
。
此外，所描述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种形成集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一尺度和不同于所述第一尺度的第二尺度；在所述衬底中形成阱，所述阱具有第一导电类型，具有第一掺杂浓度；在所述阱中并沿着所述第一尺度形成沟道区，所述沟道区具有所述第一导电类型，具有第二掺杂浓度；形成隔离结构以限定晶体管的晶体管区，所述沟道区包括沿着所述第二尺度与所述隔离结构相邻的沟道边缘区；在所述沟道区上方形成栅极结构；形成沿着所述第一尺度与所述沟道区相邻的端子区，所述端子区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；并且形成沿着所述第一尺度与所述沟道边缘区相邻并且沿所述第二尺度与所述端子区相邻的边缘阻挡区，所述边缘阻挡区被配置为使所述端子区与所述沟道边缘区解耦
。2.
根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成与所述沟道边缘区重叠的边缘恢复区，所述边缘恢复区具有所述第一导电类型，具有比所述第二掺杂浓度高的第三掺杂浓度
。3.
根据权利要求2所述的方法，进一步包括：形成沿着所述第二尺度从所述边缘恢复区延伸并超出所述沟道边缘区的延伸边缘恢复区
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中所述边缘阻挡区具有所述第一导电类型，具有与所述第一掺杂浓度基本相同的第四掺杂浓度
。5.
根据权利要求4所述的方法，其中形成所述端子区和所述边缘阻挡区包括沿着所述沟道区形成所述端子区，以及选择性地回归所述端子区的与所述沟道边缘区相邻的部分
。6.
根据权利要求1所述的方法，其中所述边缘阻挡区具有所述第一导电类型，具有比所述第一掺杂浓度高的第四掺杂浓度
。7.
根据权利要求6所述的方法，其中形成所述边缘阻挡区包括用具有所述第一导电类型的掺杂剂和具有限定所述边缘阻挡区的开口的掩模选择性地掺杂所述阱
。8.
根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述端子区和所述边缘阻挡区之间形成间隔件，以将所述边缘阻挡区与所述端子区隔离
。9.
根据权利要求8所述的方法，其中形成所述间隔件包括在所述阱的顶表面上并且侧向地在所述边缘阻挡区和所述端子区之间沉积绝缘层，所述端子区在所述间隔件下方与所述边缘阻挡区间隔开
。10.
根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极结构包括在所述沟道区上方形成氧化物层，以及在所述氧化物层上方形成栅电极
。11.
根据权利要求
10
所述的方法，其中形成所述栅极结构进一步包括形成延伸栅电极，所述延伸栅电极从所述栅电极延伸并且在所述端子区和所述边缘阻挡区之间的间隔件区上方
。12.<...
【专利技术属性】
技术研发人员：X，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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